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文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇微波等离子体
  • 12篇金刚石
  • 12篇化学气相
  • 12篇化学气相沉积
  • 12篇刚石
  • 7篇等离子体化学...
  • 7篇微波等离子体...
  • 5篇单晶金刚石
  • 5篇气相沉积
  • 4篇真空
  • 4篇碳化钼
  • 4篇腔体
  • 4篇MPCVD
  • 3篇光谱
  • 2篇真空冷却
  • 2篇气体吸收
  • 2篇气压
  • 2篇钼电极
  • 2篇漏气
  • 2篇漏气率

机构

  • 18篇武汉工程大学

作者

  • 18篇高攀
  • 17篇马志斌
  • 9篇吴超
  • 5篇付秋明
  • 5篇严垒
  • 4篇张田田
  • 4篇赵洪阳
  • 3篇曹为
  • 3篇王传新
  • 3篇黄宏伟
  • 2篇蔡康
  • 1篇陶利平
  • 1篇李国伟
  • 1篇汪建华
  • 1篇潘鑫
  • 1篇陈林

传媒

  • 3篇金刚石与磨料...
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇新型炭材料
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MPCVD生长单晶金刚石及发射光谱分析被引量:4
2015年
在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)生长单晶金刚石过程中,测量了近衬底附近等离子体发射光谱(OES),研究了甲烷浓度对等离子体中基团谱峰强度的影响,分析了等离子体中基团谱峰相对强度与金刚石生长速率、质量的关系。利用激光拉曼光谱(Raman)和扫描电镜(SEM)对生长之后的单晶金刚石进行表征。结果表明:随着甲烷浓度的提高,Hα基团谱峰几乎不变,C2、Hβ、Hγ和CH基团谱峰强度均增加,而C2基团增加显著。同时,基团谱峰相对强度比值I(Hγ)/I(Hβ)、I(C2)/I(CH)和I(C2)/I(Hα)也都随着甲烷浓度的提高而增加。I(C2)/I(CH)比值的升高不利于单晶金刚石的生长。生长速率测试表明,单晶金刚石的生长速率随I(C2)/I(Hα)比值的增大而增加,当I(C2)/I(Hα)小于0.35时,生长速率呈现指数快速增加,超过这个值之后,增长趋势变缓,生长速率呈线性增加。
吴超马志斌高攀黄宏伟付秋明王传新
关键词:微波等离子体化学气相沉积单晶金刚石发射光谱
一种利用微波等离子体焊接金刚石真空窗口的方法
本发明涉及金属与金刚石焊接领域。一种利用微波等离子体焊接金刚石真空窗口的方法,其特征在于包括如下步骤:第一步,将金属法兰和金刚石窗口清洗;第二步,金属法兰和金刚石窗口分别涂上焊料,然后将涂有焊料的面接触叠放,得到试样;第...
马志斌张田田高攀
文献传递
(111)晶面同质外延生长单晶金刚石的研究被引量:2
2016年
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在天然金刚石衬底的(111)晶面上同质外延生长单晶金刚石,研究了沉积温度、CH_4浓度以及小角度偏离(111)晶面的衬底对金刚石生长的影响。采用SEM和Raman对外延生长的金刚石进行表征,结果表明:高沉积温度、高CH_4浓度条件下,金刚石呈现出无序的多晶生长现象,随着沉积温度的降低,形貌和质量明显提高,在低沉积温度条件下金刚石表现出一致的单晶生长,但是表面形貌较为粗糙。进一步降低CH_4浓度可外延生长质量高、表面平整的单晶金刚石,速率达4.7μm/h.使用倾斜抛光方法将部分衬底面偏离(111)晶面约6°,对比实验发现,微小偏离(111)晶面的斜面衬底在高沉积温度、高CH_4浓度条件下也能生长出质量较好的单晶金刚石,生长速率明显提高,达到了9μm/h。
吴超马志斌高攀黄宏伟宋修曦付秋明王传新
关键词:单晶金刚石化学气相沉积
纳米金刚石膜真空窗口的制备被引量:3
2016年
使用自制的微波等离子体化学气相沉积装置,以乙醇为碳源在(100)硅表面制备了金刚石膜;然后用浓硝酸和氢氟酸的混合溶液腐蚀硅,制备出金刚石膜窗口。使用场发射扫描电镜(SEM)、X射线衍射、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)表征和分析金刚石膜,并以自制的漏气率测量系统测量金刚石膜窗口的漏气率。结果表明:金刚石膜的厚度为15μm,平均粗糙度值Ra为39.5nm,晶粒的尺寸大小为30nm,漏气率为8.8×10^(–9) Pa·m^3/s。
高攀马志斌吴超王传新付秋明汪建华
关键词:金刚石膜微波等离子体化学气相沉积漏气率
一种利用微波等离子体焊接金刚石真空窗口的方法
本发明涉及金属与金刚石焊接领域。一种利用微波等离子体焊接金刚石真空窗口的方法,其特征在于包括如下步骤:第一步,将金属法兰和金刚石窗口清洗;第二步,金属法兰和金刚石窗口分别涂上焊料,然后将涂有焊料的面接触叠放,得到试样;第...
马志斌张田田高攀
文献传递
一种利用微波等离子体化学气相沉积制备α相碳化钼晶体的方法
本发明属于二维晶体制备领域。一种利用微波等离子体化学气相沉积制备α相碳化钼晶体的方法,其特征在于包括如下步骤:1)将清洗后的硅片置于制备相碳化钼晶体的装置的腔体中,对腔体抽真空;2)向腔体内通入氢气,调节微波功率、氢气流...
赵洪阳马志斌蔡康高攀
文献传递
微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石
微波等离子体化学气相沉积法是一种理想的生长单晶金刚石的方法.本文以压缩波导结构微波等离子体源谐振腔为腔体,高温高压(HPHT)金刚石单晶片为衬底,在较高工作气压下进行了单晶金刚石的同质外延生长.利用扫描电子显微镜(SEM...
严垒马志斌吴超高攀
关键词:单晶金刚石微波等离子体化学气相沉积法
文献传递
一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法
本发明属于二维晶体制备领域。一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法,其特征在于包括如下步骤:第一步,首先将硅片进行超声波清洗,然后将清洗后的硅片放入基片台上,基片台位于腔体内,对腔体抽真空;第二步,向腔体通入氢气...
马志斌丁康俊高攀赵洪阳宋修曦
文献传递
金刚石真空窗口的制备
CVD金刚石具有很多卓越的性能,与铍、钛等真空窗口材料相比,金刚石将其优异性能结合在了一起,金刚石不仅具有很好的机械性能(例如高硬度、高杨氏模量),其光学和热学性能(例如高热导率、低热膨胀系数、宽的光谱透过范围等)也十分...
高攀
关键词:微波等离子体化学气相沉积自支撑
CVD金刚石磨损性能的研究被引量:1
2014年
提出了一种直接评价CVD金刚石磨损性能的实验方法,比较研究了热丝CVD法、微波等离子体CVD法和直流电弧等离子体CVD法制备的金刚石的磨损性能。研究结果表明:影响CVD金刚石磨损性能的主要因素是非金刚石相的相对含量,金刚石的内应力和晶粒大小对磨损性能的影响较小。
高攀吴超严垒马志斌
关键词:CVD金刚石拉曼光谱
共2页<12>
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