马碧春
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
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- 相关领域：电子电信自然科学总论更多>>
- 激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布
- 1998年
- 采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型分布，和半绝缘ＧａＡｓ晶片中ＥＰＤ的“Ｗ”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上，对ＧａＡｓ晶片的寿命进行了讨论。
- 屠海令张峰翊王永鸿钱嘉裕马碧春
- 关键词：半绝缘砷化镓
- 垂直凝固法（VF）生长砷化镓单晶
- 1996年
- 垂直凝固法（ＶＦ）生长砷化镓单晶宋萍王永鸿马碧春濮玉梅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：垂直凝固法（ＶＦ）砷化镓（一）引言砷化镓等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料在高速发展的电子领域中起着重要的作用。电子器件的需求不断推动着单晶生长技术的发展。而...
- 宋萍王永鸿马碧春濮玉梅
- 关键词：砷化镓单晶
- GaAs:Cr中的Cr^(4+)(3d^2 )态的光激发电子顺磁共振研究
- 1991年
- 本文报道GaAs∶Cr中Cr^(4+)(3d^2)态的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验表明,Cr_(4+)的EPR信号强度对温度关系在20-30K间达极大值.中子辐照能抑制Cr^(4+)的EPR信号,但对Cr^(2+)的EPR信号基本无影响.实验首次发现Cr^(4+)EPR信号在光照停止后先陡然增大然后逐渐下降,而不是光照停止后随即单调下降的现象.
- 毛晋昌傅济时吴恩秦国刚王永鸿马碧春
- 关键词：砷化镓深能级顺磁共振
- 掺铬φ３ＬＥＣ半绝缘砷化镓单晶生长
- 马碧春王永鸿
- 关键词：砷化镓晶体生长单晶半绝缘体
- GaAs单晶滑移位错X射线形貌术研究被引量：2
- 1989年
- 应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In砷化镓单晶的滑移位错。观察到由于位错密度不同,其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释。
- 麦振洪葛培文何杰崔树范贺楚光马碧春陈坚邦王永鸿
- 关键词：砷化镓单晶位错X射线
- 高电子迁移率低位错半绝缘砷化镓单晶的生长和特性
- 王泳鸿马碧春刘锡田
- 关键词：砷化镓单晶位错半绝缘体电子迁移率
- γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究
- 1994年
- 本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３×１０－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）．
- 傅济时朱美栋毛晋昌吴恩秦国刚魏根栓张钰华王永鸿马碧春
- 关键词：顺磁共振
- 纵、横声学支声子耦合效应的研究
- 1989年
- 本文采用中子非弹性相干散射获得GaAs单晶沿三个高对称方向传播之所有纵声支(LA)和横声支(TA)的声速,以及独立的弹性常数:C_(11)=12.20,C_(12)=5.60,C_(44)=5.86(×10^(11)dyn/cm^2)。并根据“一级空间色散”唯象理论,讨论了Td点群类晶体,[ζζ0]方向纵、横声学支声子发生耦合的现象与原由。实验与理论计算都表明,这种纵(LA)、横(TA)耦合对其声速的影响,与横、横声学支声子间耦合效应(即旋声性)比较是很不相同的,尽管他们都来自空间色敢的一级展开系数d_(ijo)纵、横耦合引起声速的劈裂是一个很难从现有实验中观察得到的二阶小量。
- 沈志工林泉王永鸿马碧春
- 关键词：线偏振
