陈玉林
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：昆明理工大学材料与冶金工程学院更多>>
- 相关领域：金属学及工艺化学工程更多>>
- 沉淀法制备Sm^(3+),Er^(3+)与Nd^(3+)一次共掺杂的BaTiO_3基半导体陶瓷电容器
- 2006年
- 在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%~5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.5895μf.cm-2电性能参数。
- 柴艮风施哲陈玉林李春花
- 关键词：共沉淀法半导体陶瓷电容器施主掺杂
- 沉淀法制备Nd^(3+)掺杂改性的钛酸钡
- 2006年
- 用共沉淀法合成了BaTiO3,研究了Ba1-xNdxTiO3系Nd3+施主一次掺杂在x=0.03~0.065之间时,BaTiO3基陶瓷电容器的本征电性能。结果表明,在此含量范围掺杂的情况下,陶瓷呈绝缘性,Nd3+含量在0.03~0.055左右时随着Nd3+含量的增加,陶瓷的ε增加,Tc呈下降趋势,tgδ值下降。Zr4+的加入也可使材料的ε增加,Tc下降。Mn2+的加入对材料的本征电性能影响不大。Ba1-3x/2NdxTiO3配比比Ba1-xNdxTiO3配比的材料的温度特性要好。
- 柴艮风施哲陈玉林张波
- 关键词：共沉淀法晶界BATIO3
