陈充林
- 作品数：10 被引量：5H指数：2
- 供职机构：德克萨斯大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 高k栅介质薄膜材料研究进展
- 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100mm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐渐接近(1~1.5)mm,这时电子的直接隧穿而导致栅极漏电流随栅氧化层厚度的下降而...
- 马春雨李智陈充林张庆瑜
- 关键词：高K栅介质MOSFETCVDPVD化学气相沉积物理气相沉积
- 文献传递
- 基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响被引量：2
- 2006年
- 利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小.
- 郝斌魁姜雪宁张庆瑜陈充林
- 关键词：基片温度X射线衍射原子力显微镜
- 钛酸钡/钛酸锶多层薄膜微观结构及其生长机制研究被引量：1
- 2012年
- 采用脉冲激光沉积方法,在氧化镁(MgO)单晶的(001)晶面上制备出钛酸钡(BaTiO3)/钛酸锶(SrTiO3)多层薄膜。利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及高角环形暗场(HAADF)像对其微观结构进行了详细研究,并探讨了多层膜的生长机制。结果表明:(1)在基体/薄膜界面附近存在周期性的失配位错,伯格斯矢量为a2<110>;(2)界面附近存在界面层(过渡层),层内可能存在局部畴域;(3)薄膜内存在位移矢量为12<110>的富Ti型和富Ba型两种层错;(4)薄膜生长过程中,由于弛豫产生的应变分布不均使得沉积原子倾向于在低应力处成核,最终多层膜显示柱状结构。
- 何俊明周艺丁莹李骏驰陈江华刘明马春蕊陈充林
- 关键词：微观结构高分辨透射电子显微镜
- 高k栅介质薄膜材料研究进展
- 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐渐接近(1～1.5)nm,这时电子的直接隧穿而导致栅极漏电流随栅氧化层厚度的下降而...
- 马春雨张庆瑜李智陈充林
- 关键词：高K栅介质栅极
- 文献传递网络资源链接
- 一类复合氧离子导体电解质薄膜的快速热处理溶胶凝胶制备方法
- 本发明属于功能新材料技术领域，涉及一类多层复合纳米氧离子导体电解质薄膜材料的制备方法。采用快速热处理溶胶凝胶方法制备多层薄膜A/(B/A)<Sub> n</Sub> (A、B分别代表YSZ或RCO，n≥1)。每层薄膜的制...
- 姜雪宁张庆瑜陈充林
- 文献传递
- 一类氧离子导体电解质薄膜的构造及其脉冲磁控溅射制备方法
- 本发明属于功能新材料技术领域，涉及一类多层复合纳米氧离子导体电解质薄膜材料的构造及其制备方法。采用YSZ与RCO陶瓷靶，以单晶硅、MgO以及Ni－YSZ或Ni－RCO阳极板为基片，靶－基距为30～80mm；背底真空度1×...
- 姜雪宁张庆瑜陈充林
- 文献传递
- 一类氧离子导体电解质薄膜构造的脉冲磁控溅射制备方法
- 本发明属于功能新材料技术领域，涉及一类多层复合纳米氧离子导体电解质薄膜材料的构造及其制备方法。采用YSZ与RCO陶瓷靶，以单晶硅、MgO以及1～3mm厚Ni-YSZ或Ni-RCO阳极板为基片，靶-基距为30～80mm；背...
- 姜雪宁张庆瑜陈充林
- 文献传递
- 高k栅介质薄膜材料研究进展被引量：2
- 2004年
- 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐渐接近(1～1.5)nm,这时电子的直接隧穿而导致栅极漏电流随栅氧化层厚度的下降而指数上升,此外,当栅氧化层薄到一定程度后,其可靠性问题,尤其是与时间相关的击穿及栅电极中的杂质向衬底的扩散等问题,将严重影响器件的稳定性和可靠性.因此需要寻找一种具有高介电常数的新型栅介质材料来替代SiO2,在对沟道具有相同控制能力的条件下(栅极电容相等),利用具有高介电常数的介质材料(一般称为高k材料)作为栅介质层可以增加介质层的物理厚度,这将有效减少穿过栅介质层的直接隧穿电流,并提高栅介质的可靠性.本文介绍了高k栅介质薄膜材料的制备方法,综述了高k栅介质薄膜材料研究的应用要求及其研究发展动态.
- 马春雨李智陈充林张庆瑜
- 关键词：CVDPVD
- LaAlO_3基体上CaBaCo_2O_(5+δ)多晶薄膜的微观结构以及生长方式
- 2014年
- 采用脉冲激光沉积方法,在（001）LaAlO3上沉积CaBaCo2O5＋δ多晶薄膜,用X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对基体和薄膜的微观结构进行观察,并探讨了薄膜的生长机制以及改善薄膜质量的可能工艺。结果表明,（1）LaAlO3基体中存在位错、孪晶等缺陷,且孪晶类型以（100）楔形孪晶为主;（2）CaBaCo2O5＋δ薄膜为多晶薄膜,薄膜底部保留了薄膜生长过程中的初始晶粒结构,晶粒大小约5-8 nm,厚度约为5-7 nm。薄膜顶层的晶粒较大,约为11-16 nm。
- 李骏驰陈江华丁莹马春蕊陈充林方靖岳张学骜
- 关键词：多晶薄膜微观结构
- 高k栅介质薄膜材料研究进展
- 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐渐接近(1-1.5)nm,这时电子的直接隧穿而导致栅极漏电流随栅氧化层厚度的下降而...
- 马春雨李智陈充林张庆瑜
- 关键词：高K栅介质MOSFETCVDPVD
- 文献传递
