辛荣生
- 作品数：41 被引量：189H指数：9
- 供职机构：郑州大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：河南省科技攻关计划国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- ZAO透明导电膜的研制
- 贾晓林辛荣生谭伟杨道媛崔书瑾苗晋琦刘战杰封鉴秋杨久俊
- 该项目为河南省科技厅2001年科技攻关项目，编号为：0124120203。该成果研究了各种工艺条件（靶材，气氛压力，氩氧比与流量，衬底温度，退火气氛及温度，溅射速率和时间等）对膜性能的影响，找出了最佳工艺条件组合，使所镀...
- 关键词：
- 关键词：透明导电薄膜溅射
- ITO透明半导体膜的研制
- 辛荣生林钰贾晓林谭伟宋连卿杨久俊封鉴秋崔书瑾
- 该项目主要是在玻璃衬底上研制满足材料新要求的ITO透明半导体薄膜，研究了各种工艺条件（气氛压力、氧氩比、靶材、温度、溅射速率和时间等）对薄膜性能的影响，摸索出了直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺条件，使所镀制的薄膜电...
- 关键词：
- 关键词：铟锡氧化物溅射
- Fz硅气相掺杂(GGD)的计算方法被引量：2
- 1998年
- 根据区熔（Ｆｚ）硅ＧＧＤ法的生长模式，进一步推算出其掺杂浓度的轴向分布及其均匀分布所需的预掺杂时间，所得计算结果与实验值非常接近．
- 辛荣生张国平林钰徐恩霞
- 关键词：硅
- 溶胶凝胶法制SiO_2底膜的研究被引量：2
- 2001年
- 本文研究了采用溶胶凝胶法制备SiO2 底膜的方法 ,探讨了各种因素对溶胶凝胶制作和SiO2
- 林钰辛荣生宋连卿
- 关键词：二氧化硅薄膜溶胶-凝胶镀膜
- ITO薄膜的制备及其光电特性研究被引量：17
- 2005年
- 采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜。研究ITO透明导电膜其膜厚、靶材、溅射气压和溅射速率等工艺对光电特性的影响。结果表明,采用陶瓷靶镀膜要比合金靶效果好,膜厚70nm以上、溅射气压0.45Pa和溅射速率23nm/min左右为最佳工艺条件,并得到了ITO薄膜电阻率1.8×10–4Ω.cm、可见光透过率80%以上。
- 辛荣生林钰
- 关键词：半导体技术ITO膜磁控溅射电阻率透光率
- 退火温度对Nb掺杂TiO_2薄膜结构与性能的影响被引量：1
- 2018年
- 采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Nb掺杂TiO_2透明导电薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见光谱(UV-Vis)及双电测四探针仪对薄膜的结构和性能进行了表征.结果表明:退火温度250℃以上时,得到锐钛矿相Nb掺杂TiO_2薄膜,且薄膜结构和光电性能随温度升高而改善;300℃时薄膜可见光透过率最高可达80%,电阻率降至2.5×10-3Ω·cm;当温度升至350℃时,薄膜晶体开始出现金红石相,光电性能也随之下降.另外,Nb掺杂有利于降低TiO_2薄膜晶体的晶相转变温度;掺杂后TiO_2薄膜的吸收限发生蓝移现象,并且随着退火温度改变,薄膜吸收限产生蓝移的程度有所不同.
- 苏雷生林钰董林辛荣生
- 关键词：温度光电性能
- 磁控溅射法镀制红外低辐射膜的研究进展被引量：4
- 2008年
- 本文介绍了采用磁控溅射法在玻璃和柔性衬底上镀制红外低辐射薄膜的研究进展。根据国内外的研究现状,对薄膜的节能原理、制备方法、膜层结构及其光学、热学性能进行了综述,较详细地论述了目前低辐射薄膜研究中较为突出的金属银氧化和介质层增透的问题。
- 辛荣生林钰
- 关键词：磁控溅射红外反射
- ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响被引量：13
- 2007年
- 在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10–4?·cm,可见光透光率达80%以上。
- 辛荣生林钰
- 关键词：无机非金属材料ITO膜
- 金银镶嵌靶材及其薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种金银镶嵌靶材及其薄膜的制备方法。金银镶嵌靶材成分中金占10%-30%、银占70%-90%。靶材制备时先用纯银靶进行磁控溅射获得溅射跑道，开设金槽，然后采用压入方法将金镶嵌到金槽内。制备合金薄膜时在磁控溅射条...
- 辛荣生贾晓林蔡彬林钰董林胡斌梅莉莎
- 文献传递
- ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究被引量：22
- 2003年
- 论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) .
- 陶海华姚宁辛荣生边超张兵临
- 关键词：光电特性透过率氧化铟锡
