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谭叔明

作品数:15 被引量:6H指数:1
供职机构:北京交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术自然科学总论更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 8篇激光
  • 8篇激光器
  • 6篇半导体
  • 5篇半导体激光
  • 5篇半导体激光器
  • 3篇耦合腔
  • 3篇操作系
  • 3篇操作系统
  • 2篇等效
  • 2篇GAAS/G...
  • 1篇单模
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇导体
  • 1篇低阈值
  • 1篇电路
  • 1篇调谐
  • 1篇调制
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理

机构

  • 10篇北方交通大学
  • 9篇中国科学院
  • 4篇北京交通大学
  • 2篇北京大学
  • 1篇大连铁道学院

作者

  • 15篇谭叔明
  • 9篇庄婉如
  • 5篇高伟
  • 1篇李群柱
  • 1篇郭治安

传媒

  • 5篇半导体光电
  • 3篇中国激光
  • 2篇今日电子
  • 1篇系统工程与电...
  • 1篇电子与电脑
  • 1篇北方交通大学...
  • 1篇铁路计算机应...
  • 1篇量子电子学

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 3篇1990
  • 5篇1989
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
协同学及其在计算系统和社会系统中的应用
1989年
协同学是一门崭新的横断科学。第一本协同学专著出版于1977年。后来,它的概念和方法被广泛用于自然科学和社会科学的许多领域。本文对协同学作简明介绍,并扼要探讨它在计算系统和社会系统中的应用前景。
郭治安谭叔明
关键词:协同学社会系统系统论
两段耦合腔半导体激光器
1989年
本文简单讨论各种单纵模半导体激光器的优缺点,扼要分析耦合腔激光器单纵模工作机理和条件,并介绍实现两段激光器的关键工艺。
张石桥庄婉如谭叔明
关键词:半导体激光器
单片集成式反应离子刻蚀沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器被引量:1
1993年
利用反应离子刻蚀(RIE)技术刻蚀激光器腔面,获得集成式沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器,在室温下实现CW稳定单模运转。单模半宽约为0.23nm,边模抑制比达19dB,模间距约2.5nm,单模运转双腔阈值电流为52mA。
张石桥谭叔明庄婉如杨培生陈季英
关键词:离子刻蚀半导体激光器单片集成
半导体激光器中跳模现象的协同学分析
1989年
本文从半导体激光器改进的速率方程组出发,运用“协同学”中一些惯用的概念和方法,对半导体激光器中的跳模现象进行理论分析和讨论。得到若干与已发表文献有所不同的结果,它们有助于较清楚和较深刻地理解半导体激光器中的跳模机制。
谭叔明高伟
关键词:半导体激光器
低阈值基横模条形半导体激光器被引量:1
1990年
本文利用等效折射率法对条形半导体激光器进行分析,得到确定条形激光器结构参数的公式,并对我们所研究的AlGaAs/GaAs BH激光器进行优化设计,得出最佳结构参数,最后给出实验测试结果,与设计要求相符。
张石桥谭叔明高伟庄婉如
关键词:半导体激光器等效折射率
透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器
1992年
本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。
高伟庄婉如谭叔明
关键词:半导体激光器
GaAs/GaAlAs集成外腔激光器的模式谱分析被引量:1
1989年
本文利用单 FP(Fabry—Perot)腔激光器的理论,并用有效反射率方法,通过计算机数值计算和作图,简单、清晰、明了地解决了集成外腔结构的 GaAs/GaAlAs激光器的模式谱问题,并给出了实验设计方案。与众多的理论分析方法相比,这种方法具有简明、精确、直观的优点。
高伟谭叔明庄婉如
关键词:光集成激光器
Windows95中英文版的共存与兼容
1997年
Windows 95中文版与英文版(以下简称CWin95与Win95)具有实质上一样的内涵、功能和性能,但它们所能显示的文种有别,所适用的应用程序也不尽相同。于是很自然地在用户中引发了这样的问题:它们能否共存于同一计算机中而且相互兼容?如能解决这个问题,将不仅有助于充分发挥两种Windows
谭叔明
关键词:WINDOWS95操作系统
耦合腔半导体激光器稳定单模工作分析被引量:1
1990年
本文利用散射矩阵法和两步等效反射率法,分别就强耦合和弱耦合情况分析了耦合腔激光器的单模工作机理,并给出数值计算结果。
张石桥庄婉如谭叔明
GaAs、GaAlAs晶片的化学择优腐蚀被引量:2
1989年
本文在总结实验的基础上,给出了化学腐蚀的选择原则。并针对化学腐蚀中较重要的晶向择优和异质择优腐蚀,借助大量的曲线和照片,就 GaAs、GaAlAs材料做了讨论。最后,简单介绍了一下它们的应用。
高伟庄婉如谭叔明
关键词:晶向晶片GAAS
共2页<12>
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