苏军
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- GaN衬底生长GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片
- 采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片进行了研究.通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)面X射线衍射半高宽为408弧秒.对p型GaP的掺杂...
- 李述体周天明范广涵章勇郑树文苏军曹健兴周昕妹
- 关键词：半导体照明LED外延片MOCVDX射线衍射
- 文献传递
- 铝预处理对硅衬底上AlN缓冲层与GaN外延层的影响
- 本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差，通过控制预处理时间，得到表面光滑无裂纹的GaN外延层。然而，过长时间TMA...
- 曹健兴李述体范广涵章勇尹以安郑树文梅霆苏军
- 关键词：GAN外延层金属有机化学气相淀积X射线衍射硅衬底
- 文献传递
- Si图形衬底的制备及半极性GaN生长
- 2010年
- 利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇(IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si(001)平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬底(111)侧面的生长.X射线双晶衍射测量GaN薄膜的Bragg角为18.45°,表明在Si图形衬底上成功生长出了(1-101)半极性GaN薄膜.其X射线衍射峰半高宽为1 556弧秒.
- 苏军李述体尹以安曹健兴
- 关键词：各向异性腐蚀异丙醇超声波振动
- 铝预处理对硅衬底上AIN缓冲层与GaN外延层的影响
- 本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明,没有TMAI预处理,样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差,通过控制预处理时间,得到表面光滑无裂纹的GaN外延层。然而,过长时间TMA...
- 曹健兴李述体范广涵章勇尹以安郑树文梅霆苏军
- 关键词：GAN外延层MOCVDX射线衍射
- 文献传递
