耿雷
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
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- 脉冲电沉积法制备SnS薄膜及其光电性质研究
- 在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜，研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面，薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明，在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3～1.62eV范围内变化，并且随...
- 喀哈尔·玉苏普林涛耿雷徐岭徐骏
- 关键词：化合物半导体肖特基接触光电性能
- 文献传递
- ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS 异质结的制备与太阳能电池应用
- 三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬...
- 徐骏喀哈尔·玉苏普林涛徐岭陈坤基肖金荣耿雷
- CdS/CdTe多晶薄膜及其化合物太阳能电池的制备与研究
- 成本低廉、转换效率可与传统硅基太阳能电池相媲美的化合物半导体薄膜太阳能电池的研究和制备，是当今光伏领域的研究热点。CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池是下一代薄膜太阳能电池的重要候选者，受到人们的高度重视，发展十分迅速。 ...
- 耿雷
- 关键词：太阳能电池硫化镉碲化镉多晶薄膜
- 一种硫系太阳能电池及其制作方法
- 本发明公开了一种硫系太阳能电池及其制作方法，硫系太阳能电池包括衬底、ITO、纳米结构层、纳米硅层和下电极；所述下电极设在纳米硅层上；所述纳米硅层设在纳米结构层上；所述纳米结构层设在ITO上；所述ITO设在衬底上；方法包括...
- 徐岭徐骏马忠元肖金荣耿雷陈坤基李伟方力刘妮江一帆杨菲仝亮
- 文献传递
- 脉冲电位法制备SnSx薄膜及其光电性质研究
- 半导体硫化锡(SnS)薄膜的带隙可以在一个较为宽广的范围(1～2eV)内变化,在可见光范围内具有很高的吸收系数(>10cm),理论上,由其构成的薄膜太阳能电池的转换效率可达到25%。同时,相对于CuInGaSe薄膜,Sn...
- 喀哈尔·玉苏普林涛耿雷徐岭徐骏
- 文献传递
- ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS 异质结的制备与太阳能电池应用
- 三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬...
- 徐骏喀哈尔·玉苏普林涛徐岭陈坤基肖金荣耿雷
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- 脉冲电沉积法制备SnS薄膜及其光电性质研究被引量：5
- 2012年
- 在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜,研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面,薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明,在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3-1.62 eV范围内变化,并且随着开启脉冲电位的增大,薄膜的禁带宽度逐渐变大。在开启脉冲电位为-0.70V（vs.SCE）时,制备的薄膜禁带宽度为1.53 eV,在可见光范围内光吸收系数均达到104cm^-1以上。扫描电子显微镜的测试结果表明所得薄膜的表面平整并且均匀。结合X射线衍射结果可证实制备出的薄膜是由正交结构晶粒组成的多晶体。对薄膜进行变温电学性质的测试,得到了薄膜电导率温度谱,发现室温下薄膜的电导率为10-6S.cm^-1。同时,在实验上发现了薄膜与Al电极形成了肖特基接触,由电学测试推导出肖特基势垒高度为0.58 eV。
- 喀哈尔.玉苏普林涛耿雷徐岭徐骏
- 关键词：肖特基接触
