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一种全集成多输出堆叠式低压差线性稳压器: 本发明公开了一种全集成多输出堆叠式低压差线性稳压器，包括主LDO以及辅助LDOk，k＝1，2…n；主LDO通过片上电容C0和负载Load0与辅助LDO<S...; 耿莉郭卓奇李丹; 文献传递

一种超级差分跨阻放大器结构及光电二极管连接方法: 本发明公开了一种超级差分跨阻放大器结构及光电二极管连接方法。超级差分跨阻放大器结构为：将上方差分子信号通道和下方差分子信号通道在电压域下堆叠，共用偏置电流；通过直流耦合的方式将光电二极管两端分别连接到上方差分子信号通道和...; 李丹黄伟耿莉; 文献传递

一种动态可重构处理器的数据缓存预取方法: 本发明公开了一种动态可重构处理器的数据缓存预取方法，包括以下步骤：1)可重构处理器缓存预取时，偏移量处理单元获得最佳偏移量，发送给预取地址生成模块；2)预取度调节模块通过预取精度与迭代总数据量这两个参量动态调节预取度，并...; 杨晨侯佳王逸洲周奇耿莉; 文献传递

集成双层平面电感的单片DC/DC转换器设计被引量：1: 2007年; 采用0.35μm标准CMOS工艺设计了3.3V/1.5V单片低压Buck转换器,开关频率为150MHz.本文采用了电压型脉宽调制的反馈控制模式,克服了频率提高所带来的转换器系统不稳定问题.对双层平面螺旋电感进行了设计与优化,获得品质因数2.6,电感值28nH的双层平面电感.模拟结果表明,对应于不同输入电压或不同负载,转换器系统工作稳定,输入调整率-40dB,输出调整率-60dB.输出电压纹波平均值可以控制在额定值75mV,转换效率71%.; 李清华邵志标张春茗耿莉; 关键词：输出电压纹波

一种基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段宽带有源移相器被引量：3: 2020年; 采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作在32~38 GHz的Ka波段有源移相器,采用矢量合成的方法实现移相功能。该移相器电路包括输入无源巴伦、多相滤波网络、矢量合成单元、射随器和输出有源巴伦。后仿结果表明,输入输出反射系数均小于-9.5 dB,反向隔离度小于-80 dB,插入损耗优于-6.5 dB。在-55℃~125℃宽温范围内相对相移最大误差小于2.2°,全频带RMS移相误差小于1.5°,RMS增益误差小于0.35 dB。总功耗为18.2 mW,芯片核心面积为0.21 mm^2。; 袁刚郭宽田周小川叶力群范超田泽耿莉耿莉; 关键词：BICMOS工艺

面向神经形态感知的人工脉冲神经元的研究进展: 2024年; 近年来,随着人工智能技术和脉冲神经网络(SNN)的迅猛发展,人工脉冲神经元的研究逐渐兴起。人工脉冲神经元的研究对于开发具有人类智能水平的机器人、实现自主学习和自适应控制等领域具有重要的应用前景。传统的电子器件由于缺乏神经元的非线性特性,需要复杂的电路结构和大量的器件才能模拟简单的生物神经元功能,同时功耗也较高。因此,最近研究者们借鉴生物神经元的工作机制,提出了多种基于忆阻器等新型器件的人工脉冲神经元方案。这些方案具有功耗低、结构简单、制备工艺成熟等优点,并且在模拟生物神经元的多种功能等方面取得了显著进展。文章将从人工脉冲神经元的基本原理出发,综述和分析目前已有的各种实现方案。具体来说,将分别介绍基于传统电子器件和基于新型器件的人工脉冲神经元的实现方案,并对其优缺点进行比较。此外,还将介绍不同类型的人工脉冲神经元在实现触觉、视觉、嗅觉、味觉、听觉和温度等神经形态感知方面的应用,并对未来的发展进行展望。希望能够为人工脉冲神经元的研究和应用提供有益的参考和启示。; 方胜利任文君赵淑景王瑞麟刘卫华李昕张国和王小力耿莉韩传余; 关键词：脉冲神经网络

DC‑DC变换器的导通时间校正定频跨周期控制器及方法: 本发明公开一种DC‑DC变换器的导通时间校正定频跨周期控制器及方法，控制器包括基准电压模块、动态比较器Comp、时钟产生模块、导通时间校正模块、占空比产生模块及相应的两组电容阵列Cp、Cn和死区时间及驱动电路模块；本发明...; 耿莉商中夏范世全薛仲明董力张杰; 文献传递

一种相干探测激光雷达阵列光学结构及测距激光雷达: 本发明公开了一种相干探测激光雷达阵列光学结构及测距激光雷达，由光源中发出的光进入第一镜头组中，进行处理后将光分为信号光和本振光，信号光通过第二镜头组发射至目标，第四镜头组接收目标反射的信号光，在第二像平面上成实像，实像由...; 张冰余敏辛有泽胡从振耿莉

基于DAC技术的新型软启动电路及软启动方法: 本发明公开了一种基于DAC技术的新型软启动电路及软启动方法，软启动电路包括时钟产生模块、数字信号产生器、二进制开关、R-2R梯形电阻网络以及软启动结束控制模块。本发明基于DAC技术，通过采用一种时钟产生模块，生成了上升趋...; 王盈菡耿莉王艳范世全宋焱

超动态电压调整SRAM设计: 2013年; 本文设计了一种8管SRAM单元和相应的读写辅助电路,解决了传统6管SRAM单元低压工作存在的读写稳定性问题,实现了具有超动态电压调整(U-DVS)能力的SRAM的设计,其工作电压范围可从亚阈值区变化到标称电压,达到SRAM低功耗和高性能的平衡。通过自适应衬底偏置电路和读缓冲器的设计,增强了SRAM单元低压下的读稳定性和鲁棒性。设计了可复用的读写辅助电路,同时提高SRAM的低压写能力和读速度。采用标准0.18-μm CMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明SRAM工作电压范围达到0.2V-1.8V,相应的工作频率为184 kHz-208 MHz,从1.8V到0.2V的工作电压范围内,SRAM总功耗降低了4个数量级,工作电压0.2V时的读写功耗仅为30nW。; 赵慧耿莉; 关键词：集成电路设计 SRAM 低功耗

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耿莉