罗劲明
- 作品数：16 被引量：18H指数：2
- 供职机构：嘉应学院物理与光信息科技学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金新世纪高等教育教学改革工程广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程文化科学一般工业技术更多>>
- BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜阻变效应的空间电荷限制电流机理分析
- 2014年
- 研究了BiFe0.95Mn0.05O3薄膜器件的双极性阻变效应。通过对薄膜器件的电流电压曲线进行电导机制的拟合分析,发现在低阻态时其电流电压关系遵循欧姆定律,而在高阻态时则满足指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流规律。同时,还研究了限制电流对双极性阻变效应的影响,结果表明通过调节限制电流值,可以改变薄膜内形成的导电丝粗细,从而得到不同的低阻态,实现薄膜器件的多态存储功能。在导电丝理论的基础上,利用指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流机理对这一现象进行了详尽的阐述。
- 罗劲明徐初东陈书汉
- 铁酸铋薄膜的电学特性及掺杂影响分析被引量：1
- 2017年
- 利用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)衬底上制备了多铁性铁酸铋薄膜,发现这种方法制备的薄膜具有典型的钙钛矿晶体结构,并表现出较好的介电性能。薄膜的漏电和铁电性能测试表明由于漏电流比较大,薄膜在室温下表现出不饱和的电滞回线,难以精确获得剩余极化强度值。而在外加扫描电压或电流时,薄膜均呈现出明显的阻变效应,可应用于阻变信息存储。最后,分析讨论了元素掺杂对薄膜铁电性能和阻变效应的影响。
- 罗劲明张海宁温建平
- 关键词：铁酸铋铁电性能掺杂
- 铁电极化疲劳效应的微分电滞回线谱分析被引量：2
- 2005年
- 铁电体的极化强度P是根据电滞回线计算的,但漏电电导、顺电电容、电极和样品表面接触层、pn结电阻等的影响使得精确测量回线非常困难.作者引入微分电滞回线谱分析方法,可将上述多种效应从总效应中定量扣除而得到纯铁电性的贡献.对锆钛酸铅陶瓷的测量结果表明,纯铁电微分回线可用少数几个高斯型函数精确拟合.疲劳效应表现为高斯函数个数,峰位U0、峰高I0、峰宽Δ等参数随极化反转次数N的增加持续变化.与电滞回线相比,微分回线是描述极化疲劳的更为严格有效的方法.
- 沈韩陈敏朱贵文罗劲明李景德
- 关键词：锆钛酸铅
- TGS的铁电老化和历史记忆效应
- 2005年
- 测量了经18年自然老化后的TGS单晶的微分电滞回线,发现回线的形状与未老化的样品类似,故称其为隐性老化.老化的样品经热处理后,回线峰位,峰高出现显著变化,甚至出现双峰,表现出明显的老化特性,隐性老化被显性化了.老化的原因可归结为环境空气中的水分子吸附在晶片四周表面上,使晶体有些微区水解形成缺陷;以及这些缺陷向晶体内的扩散.
- 罗劲明朱贵文陈敏沈韩李景德
- 光学间隔层对聚合物太阳能电池光学性能的影响
- 2017年
- 利用传输矩阵法系统研究了光学间隔层(ZnO)对聚合物太阳能电池光学性能的影响。研究表明,光学间隔层能有效调控活性层内部的光场分布并能提高聚合物太阳能电池的工作效率。定量地研究了活性层内部在不同间隔层厚度条件下的光电场分布和吸收光谱,当活性层厚度介于50 nm与150 nm之间时间隔层厚度的变化对短路电流密度影响较为明显。通过比较不同间隔层厚度所产生的短路电流密度,得出间隔层ZnO厚度不宜超过10 nm。
- 陈书汉罗劲明
- 关键词：传输矩阵法有机太阳能电池短路电流密度
- 空气折射率梯度分布的可视化实验被引量：8
- 2018年
- 基于传统的纹影法,引入全息干涉技术记录了空气折射率梯度分布引起的光强和相位变化的全息图,经过显影、定影和漂白之后再现出全息干涉条纹,进而实现空气折射率梯度分布的可视化.
- 罗劲明薛凌峰郑景辉曾锦富李子文纪桂彬
- 关键词：折射率可视化
- Cu/SiO_2结构单元在阻变效应中形成导电通道的模型分析被引量：1
- 2017年
- 通过建立一个模型,简单地讨论了Cu/SiO_2结构单元在阻变效应中形成导电通道的临界电压特性。该模型考虑了Cu离子在SiO_2薄膜的迁移扩散和Cu离子在薄膜内引起的空间电荷效应,同时考虑了电子电导机制。模型的计算表明,薄膜的结构参数(厚度、电极功函数、掺杂等)对导电通道的形成过程有很大的影响,其临界电压随薄膜厚度和电极功函数的增加而增大,而随Cu离子掺杂浓度增大而减小。这一结果对未来存储器件的性能设计和制造具有一定的指导意义。
- 罗劲明
- 关键词：SIO2击穿
- TGS的铁电老化和历史记忆效应
- 测量了经18年自然老化后的TGS单晶的微分电滞回线,发现回线的形状与未老化的样品类似,故称其为隐性老化.老化的样品经热处理后,回线峰位,峰高出现显著变化,甚至出现双峰,表现出明显的老化特性,隐性老化被显性化了.老化的原因...
- 罗劲明朱贵文陈敏沈韩李景德
- 关键词：晶体缺陷
- 文献传递
- 退火温度对铁酸铋薄膜阻变特性的影响被引量：2
- 2018年
- 在氧化铟锡衬底上利用溶胶凝胶法,分别在500℃和600℃退火条件下,制备了锰掺杂的铁酸铋薄膜。两种退火温度下制备出来的薄膜均具有典型的钙钛矿晶体结构,但高温退火的薄膜晶粒尺寸要比低温退火的薄膜大。此外,随着退火温度的升高,薄膜的介电常数增大,漏电流也随之增加。通过测量约120个电流电压循环曲线,研究了这两种退火温度下锰掺杂铁酸铋薄膜的阻变效应,发现高温退火下薄膜的阻变性能稳定性要比低温退火的薄膜好。最后,基于氧空位相关的导电丝理论,进一步讨论分析了退火温度对薄膜介电、漏电性能和阻变特性的影响。
- 罗劲明
- 关键词：铁酸铋退火温度
- TGS单晶电畴运动的微分回线谱分析
- 2010年
- 微分电滞回线谱方法可分出铁电体中漏电导、非铁电性电容的影响而得到纯铁电机构运动的信息.采用该方法对硫酸三甘肽(TGS)单晶进行研究,确认单晶铁电畴的生长速度与外加电压的峰值大小和周期都密切相关.要想得到给定样品的完整电滞回线,外加电压需大于样品的矫顽电压,信号频率应尽可能小.否则,根据不完整电滞回线得到的极化强度、矫顽场等信息是错误的.对于厚度为0.50mm的TGS样品,频率需小于10Hz,电场峰值需大于1.2kV/cm,比矫顽场大30%.
- 刘俊刁何婉芬罗劲明沈韩
- 关键词：高斯函数
