王苏静
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：宁波大学材料科学与化学工程学院更多>>
- 发文基金：宁波大学王宽诚幸福基金宁波市自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷被引量：4
- 2010年
- 采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象。
- 陈红兵沈琦方奇术肖华平王苏静梁哲蒋成勇
- 关键词：钨酸镉晶体生长坩埚下降法晶体缺陷
- Er^(3+):LiYF_4单晶生长与光谱特性被引量：5
- 2011年
- 采用坩埚下降法在非真空密闭条件下生长出尺寸为φ9mm×68mm的1mol%Er3+:LiYF4单晶材料,测试了样品的折射率、透过光谱、吸收光谱、以及在980nm和792nm激光泵浦下的近红外和中红外荧光光谱.应用Judd-Ofelt理论计算了Er3+离子在LiYF4晶体材料中的强度参数(Ωt,t=2,4,6)、能级跃迁振子强度(fcal)、自发辐射跃迁几率(A)、荧光分支比(β)、辐射寿命(τrad)等光谱参数,讨论了其近红外和中红外的荧光特性.结果表明,在980nm和792nm激光泵浦下观察到了1.5μm近红外荧光和3.0μm中红外荧光,分别对应于Er3+:4I13/2→4I15/2和4I11/2→4I13/2跃迁,并分析了3.0μm中红外荧光强度较弱的可能原因.
- 於杏燕陈红兵王苏静周燕飞武安华戴世勋
- 关键词：中红外发光吸收谱光学参数
- 非真空密闭条件下的Ce3＋：LiYF4晶体生长被引量：1
- 2009年
- 本文报道了氟化物激光晶体Ce3+∶LiYF4的坩埚下降法生长工艺。以高纯氟化物LiF、YF3和CeF3为初始试剂,按照LiF∶YF3∶CeF3=51.5∶47.5∶1.0的物质的量比配料,经高温氟化处理合成严格无水的Ce3+∶LiYF4多晶料。将Ce3+∶LiYF4多晶料密封于铂坩埚中,添加少量聚四氟乙烯粉末,可避免氟化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现Ce3+∶LiYF4晶体的坩埚下降法生长,成功生长出尺寸达28 mm×70 mm的无色透明完整单晶。采用XRD、差热/热重分析、透射光谱和荧光光谱对Ce3+∶LiYF4单晶基本性质的进行表征。结果表明,该晶体在320~3000 nm区域内的光透过率达90%以上,晶体在297 nm处有一强吸收峰;荧光光谱显示晶体在紫外光区310nm、325 nm处有两个强发射峰。
- 徐方方奇术王苏静武安华蒋成勇陈红兵
- 关键词：激光晶体晶体生长坩埚下降法
- 碘化钾单晶的非真空密闭坩埚下降法生长
- 2010年
- 本文报道了KI单晶在非真空密闭条件下的坩埚下降法生长。以经充分干燥的高纯KI多晶为原料,将KI多晶料密封于套层铂坩埚中,添加少量活性碳粉末,可避免碘化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现KI单晶的坩埚下降法生长。在晶体生长过程中,炉体温度调节于750～770℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率控制为1～2mm/h,成功生长出尺寸为25mm×50mm的透明完整KI单晶。采用XRD、DTA-TG、透射光谱、荧光光谱对所获KI单晶进行了测试表征,结果表明该单晶具有良好的光学均匀性,在450～2500nm波长范围的光学透过率达70%以上,其光学吸收边位于280nm左右;在266nm脉冲光激发下,该单晶具有397nm峰值波长的荧光发射。
- 王苏静陈红兵方奇术徐方梁哲蒋成勇杨培志
- 关键词：坩埚下降法光谱性质
- LiCaAlF_6单晶的非真空坩埚下降法生长
- 2010年
- 以高纯氟化物LiF、CaF2和AlF3为初始试剂,按照精确化学计量比1:1:1摩尔比配料,经高温氟化处理合成严格无水的LiCaAlF6多晶料.将该多晶料密封在铂坩埚中,添加少量聚四氟乙烯粉末,可避免氟化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现LiCaAlF6单晶的坩埚下降法生长.在单晶生长过程中,炉体温度控制于910～930℃,固液界面温度梯度为30℃.cm-1左右,坩埚下降速率为0.5～1.0mm·h-1,成功生长出无色透明的LiCaAlF6单晶.应用XRD、透射光谱,红外光谱进行了LiCaAlF6单晶基本性质的测试表征.结果表明,该单晶在190～1100nm区域内的光透过率达85%以上.
- 方奇术王苏静梁哲周燕飞武安华陈红兵
- 关键词：单晶生长坩埚下降法
- 垂直坩埚下降法生长钨酸镉单晶的缺陷研究
- 钨酸镉(CdWO4)单晶是综合性能优良的闪烁晶体材料,与其它多种无机闪烁晶体相比较,CdWO4闪烁单晶具有发光效率较高、余辉弱、X射线吸收系数大、抗辐照损伤性能强、
- 陈红兵方奇术肖华平徐方王苏静蒋成勇
- 文献传递
