王石军
- 作品数：11 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 碳纤维增强碳基-陶瓷基复合材料连接件的制备工艺
- 本发明公开了一种碳纤维增强碳基-陶瓷基复合材料连接件的制备工艺，该工艺中预制体结构采用2D针刺结构，通过优化结构设计及加工方案，并利用快速化学气相渗(HCVI)结合传统等温CVI复合工艺共同完成制备工作。采用该工艺制备的...
- 汤素芳庞生洋王石军胡成龙刘方黄宏涛
- 文献传递
- 一种碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的制备方法
- 本发明公开了一种碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的制备方法，属于碳/碳复合材料抗氧化技术领域。首先采用化学气相沉积工艺在碳/碳复合材料表面沉积高结晶性碳化硅作为过渡内涂层；以氧化硼、碳化硼、二氧化硅和氧化铝为涂层...
- 汤素芳胡成龙庞生洋王石军
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- 碳纤维增强碳基-陶瓷基复合材料连接件的制备工艺
- 本发明公开了一种碳纤维增强碳基‑陶瓷基复合材料连接件的制备工艺，该工艺中预制体结构采用2D针刺结构，通过优化结构设计及加工方案，并利用快速化学气相渗(HCVI)结合传统等温CVI复合工艺共同完成制备工作。采用该工艺制备的...
- 汤素芳庞生洋王石军胡成龙刘方黄宏涛
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- 一种电耦合化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置和方法
- 本发明公开了一种电耦合化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置和方法，属于碳化硅涂层技术领域。本发明装置包括带有水冷壁的炉体、石墨电极工装、气源系统、真空泵和尾气处理系统；所述石墨电极工装用于固定和通电加热待沉积样品，通过气源...
- 汤素芳庞生洋胡成龙王石军
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- 一种碳纤维增强（碳-）碳化硅基-超高温陶瓷基复合材料及其制备方法
- 本发明公开了一种碳纤维增强(碳‑)碳化硅基‑超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，属于超高温陶瓷基复合材料技术领域。该复合材料根据碳纤维、热解碳(PyC)、碳化硅(SiC)、超高温陶瓷(UHTC)各组元的特点将它们组合成四个...
- 汤素芳庞生洋胡成龙王石军李建
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- 超高温防热材料烧蚀机理研究——从C/C、C/C-UHTC到C/SiC、C/ZrB2-SiC复合材料
- 本文以超高温防热材料为研究对象,从C/C烧蚀材料着手,提出开展微烧蚀C/C-UHTC复合材料研究,并在此基础上进一步开展了零烧蚀C/ZrB-SiC复合材料研究。为了提高C/C的抗氧化性能,并改善超高温陶瓷(UHTC)的抗...
- 汤素芳邓景屹王石军刘文川
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- 一种连续碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种连续碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法和应用，属于SiC<Sub>f</Sub>/SiC复合材料技术领域。本发明采用CVI+PIP复合工艺制备了SiC<Sub>f</Sub>/SiC复合材料，...
- 汤素芳庞生洋王石军胡成龙李建
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- 一种电耦合化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置和方法
- 本发明公开了一种电耦合化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置和方法，属于碳化硅涂层技术领域。本发明装置包括带有水冷壁的炉体、石墨电极工装、气源系统、真空泵和尾气处理系统；所述石墨电极工装用于固定和通电加热待沉积样品，通过气源...
- 汤素芳庞生洋胡成龙王石军
- 炭基体的结构对C/C复合材料导电性能的影响被引量：2
- 2019年
- 采用CVI+PIC工艺制备以2D碳纤维预制体为增强体、由不同炭基体结构组成的C/C复合材料,随后在不同温度对其进行热处理得到不同石墨化度的炭基体结构,研究了PyC/ReC比值和石墨化度对材料电阻率的影响。结果表明,随着PyC/ReC比的提高低密度C/C复合材料的电阻率在27.3×10-6~28.0×10-6Ω·m间基本不变,因为石墨微晶的尺寸和结构完整性的增大与材料孔隙率的提高对电阻的影响相反。随着PyC/ReC比的提高,高密度C/C复合材料的电阻率从24.9×10-6Ω·m降低到20.5×10-6Ω·m。其可能的原因是,材料内部的孔隙较少,孔隙率的轻微提高使阻碍载流子在导电网络中的有效传递的作用显著下降。随着热处理温度从1800℃提高到2500℃,C/C复合材料的石墨化度明显提高,电阻率明显降低,其主要原因是载流子浓度的提高和晶界散射的减弱。
- 庞生洋刘峰胡成龙王石军汤素芳
- 关键词：复合材料电阻率石墨化
- 一种短周期、低成本制备高性能碳/碳复合材料的方法
- 本发明公开了一种短周期、低成本制备高性能碳/碳复合材料的方法，属于碳纤维复合材料制备技术领域。该方法采用电耦合化学气相沉积工艺(E‑CVI)与液相浸渍‑碳化工艺(PIC)复合工艺制备高性能C/C复合材料。所制备的高性能、...
- 汤素芳庞生洋胡成龙王石军李建
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