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王甜

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:中南财经政法大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇纳米电缆
  • 2篇CDSE
  • 2篇CDTE
  • 1篇电极
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列电极
  • 1篇壳层
  • 1篇光伏
  • 1篇光伏应用
  • 1篇核壳
  • 1篇核壳型
  • 1篇CDX

机构

  • 1篇湖北大学
  • 1篇中南财经政法...

作者

  • 2篇王甜
  • 1篇刘荣
  • 1篇王喜娜
  • 1篇王浩

传媒

  • 1篇功能材料信息

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
核壳型ZnO-CdX纳米电缆阵列电极的光伏性能研究
最近,作为ZnO和Ti02宽禁带光电极的敏化剂的半导体量子点,已经被大量应用在量子点敏化太阳能电池(QDSSC)领域中。对于这些QDSSC,量子点和光电极之间的能带调整总是遵从Ⅱ型模型,即量子点中的价带和导带都要比光电极...
王甜
关键词:CDSECDTE
文献传递
双壳层ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列的光伏应用
2012年
以ZnO纳米棒阵列作为核,通过电化学沉积方法成功制备了致密的单壳层或者双壳层zno/CdTe/Cdse,zno/cdTe和ZnO/CdSe纳米电缆阵列光电极。对于ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列,有序且具有闪锌矿结构的CdSe和CdTe纳米壳层的厚度分别为10—20nm和7—15nm,两者之间形成了连续致密的界面层。利用未接触之前体材料之间的能带偏移和接触之后费米能级的调整,对于双壳层纳米电缆阵列,推导出在CdSe/CdTe和CdTe/CdSe界面的能级调校。对比在ZnO/CdTe/CdSe纳米电缆中CdTe/CdSe界面之间形成的负能带偏压-0.16ev,对于ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆,CdTe的能带在CdSe的能带之上,因而在CdSe/CdTe界面之间成了0.16eV的正导带偏压。这样一个阶梯式的能带排列以及质密的界面接触,不仅使纳米电缆沿着径向具有很少的晶界,同时沿轴向电子传输速率得到加快。因此,在45mW/cm。的AMl.5G模拟光照下,zno/cdse/cdTe纳米电缆阵列光电极的饱和光电流密度高达~14.3mA/cm^2,明显高于ZnO/CdTe/CdSe,Zn0/CdSe和ZnO/CdTe纳米电缆阵列。
王浩王甜王喜娜刘荣
关键词:CDSECDTE
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