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王玉清

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇真空度
  • 2篇气相沉积
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体结构
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇光化学
  • 2篇硅锗
  • 2篇反应温度
  • 2篇硅
  • 2篇超高真空
  • 1篇导体
  • 1篇真空系统
  • 1篇真空性能
  • 1篇气路系统
  • 1篇紫外光源
  • 1篇化学沉积
  • 1篇高真空
  • 1篇高真空系统
  • 1篇光能量

机构

  • 4篇西安电子科技...

作者

  • 4篇孙建成
  • 4篇胡辉勇
  • 4篇戴显英
  • 4篇王玉清
  • 4篇张鹤鸣

年份

  • 1篇2005
  • 3篇2003
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
光化学气相沉积设备的光透过窗口装置
本实用新型公开了一种用于UV/CVD设备的光透过窗口装置，主要由紫外光源、两个玻璃光窗及带有升降功能的支撑体构成。其中一个玻璃光窗为活动式，它是在UV/CVD设备进行化学反应之前与衬底芯片同时进入反应室并放在支撑体上，它...
戴显英张鹤鸣胡辉勇孙建成王玉清
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硅锗/硅的化学气相沉积生长方法
本发明公开了一种在低温、超高背景真空度的工艺环境下，采用光化学气相淀积设备外延生长硅锗/硅材料的方法。本发明的主要特点是，将UHV/CVD技术和光CVD技术的优点有机地结合起来，在背景真空度优于1×10<Sup>－7</...
戴显英张鹤鸣胡辉勇孙建成王玉清
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硅锗/硅的化学气相沉积生长方法
本发明公开了一种在低温、超高背景真空度的工艺环境下，采用光化学气相淀积设备外延生长硅锗/硅材料的方法。本发明的主要特点是，将UHV/CVD技术和光CVD技术的优点有机地结合起来，在背景真空度优于1×10<Sup>-7</...
戴显英张鹤鸣胡辉勇孙建成王玉清
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光化学气相沉积设备
本实用新型公开了一种光化学气相沉积设备，适用于半导体薄膜材料的外延生长，它主要由超高真空系统、反应气体气路系统、加热系统、紫外光能量辅助系统组成，是LP/CVD、UHV/CVD和UV/CVD设备的有机结合体。其主要特点是...
张鹤鸣戴显英胡辉勇孙建成王玉清
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