您的位置: 专家智库 > >

江泽流

作品数:10 被引量:3H指数:1
供职机构:河北半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 6篇刻蚀
  • 6篇干法刻蚀
  • 4篇制版
  • 3篇电子束
  • 3篇掩模
  • 3篇掩模版
  • 3篇GAAS器件
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇电子束曝光技...
  • 2篇电子束直写
  • 2篇亚半微米
  • 2篇制版技术
  • 2篇微米
  • 2篇微细
  • 2篇抗蚀剂
  • 2篇
  • 1篇电子束光刻
  • 1篇电子束抗蚀剂
  • 1篇制板
  • 1篇砷化镓

机构

  • 7篇河北半导体研...
  • 2篇机电部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 10篇江泽流
  • 6篇王维军
  • 6篇罗四维
  • 6篇刘玉贵
  • 1篇张友渝
  • 1篇宗婉华
  • 1篇王民娟

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇1998
  • 3篇1991
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
微细制版中的干法刻蚀技术研究
1991年
本文简述了干法刻蚀在微细制版,特别是电子束制版中的重要性,较详尽地介绍了本研究所用的实验装置,刻触原理,工艺参数选择,实验结果及应用情况,并给出了一些典型的图表数据。
江泽流
关键词:微细加工干法刻蚀制板
电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用被引量:1
2002年
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
刘玉贵王维军罗四维江泽流
关键词:电子束曝光技术GAAS器件
亚半微米铬掩模版制作技术研究
介绍用Leica VB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4″铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术.
王维军罗四维江泽流刘玉贵
关键词:亚半微米电子束抗蚀剂干法刻蚀
文献传递
电子束直写直栅和T型栅工艺技术应用
介绍用EBL(E-Beam Lithography)技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅条的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用.
刘玉贵王维军罗四维江泽流
关键词:电子束曝光技术T型栅
文献传递
提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法
1998年
本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Si镇流电阻法。
张友渝江泽流宗婉华王文喜张大立王民娟
关键词:冷阴极
喷雾显影技术在亚微米制版中的应用研究
1991年
阐述了离心式中心喷雾显影工艺技术在精细图形制作中的重要性,实验装置、工作原理、工艺参数选择、实验结果以及在制版中的应用实例。
江泽流
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
介绍用光学设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,而用高分辨率的电子束设备制作线宽不大于0.5um、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术.
罗四维王维军江泽流刘玉贵
关键词:电子束GAAS器件干法刻蚀
文献传递
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用被引量:1
2003年
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩模版精确互套的方法、干法刻蚀等工艺过程做了必要的阐述。
罗四维王维军江泽流刘玉贵
关键词:电子束GAAS器件掩模版干法刻蚀砷化镓
微细制版中的干法刻蚀技术研究
江泽流吴翠英王育中
关键词:光致抗蚀剂干法电子束光刻
亚半微米铬掩模版制作技术研究被引量:1
2002年
介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。
王维军罗四维江泽流刘玉贵
关键词:亚半微米干法刻蚀掩模版
共1页<1>
聚类工具0