段淑卿
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 退火温度对Er/Yb共掺Al_2O_3薄膜的光致荧光光谱的影响被引量：4
- 2005年
- 通过对不同退火条件下ErYb共掺Al2O3薄膜光致荧光(PL)光谱的系统分析,研究了高ErYb掺杂浓度所导致的晶体场变化对薄膜PL光谱的影响,并结合薄膜结构分析,探讨了Al2O3薄膜的结晶状态在Er3+激活、PL光谱宽化中的作用及可能的物理机理.研究结果表明退火处理所导致的Er3+PL光谱的变化与薄膜的微观状态之间有着密切的联系.在600—750℃范围内,薄膜呈非晶态结构,薄膜荧光强度的增加主要是薄膜内缺陷减少所致;在800—900℃范围内,γAl2O3相的出现是导致荧光强度明显增加的主要原因;当退火温度为1000℃时,Er,Yb的大量析出致使荧光强度的急剧下降.此外,对PL光谱线形分析表明,各子能级跃迁的相对强度变化是导致荧光光谱宽化的主要因素.
- 谭娜段淑卿张庆瑜
- 关键词：ER^3+退火温度光致荧光YB共掺Γ-AL2O3
- 富硅氧化硅和ZnO掺Er薄膜的制备及光学特性
- 由于Er~/(3+/)在1.54μm波段的发光是由4f壳层中电子的4I/_/(13//2/)→4I/_/(15//2/)跃迁产生的,对应着石英光纤的最小吸收窗口,因此在光通讯领域得到了广泛的应用。随着光纤通信和集成光电子...
- 段淑卿
- 关键词：离子束辅助沉积光致荧光
- 文献传递
- 高浓度Er/Yb共掺ZnO薄膜的结构及室温光致发光特性被引量：5
- 2006年
- 采用射频磁控溅射方法制备了Er/Yb共掺ZnO薄膜,研究了退火处理对高浓度Er/Yb共掺ZnO薄膜的结构演化和光致发光(PL)特性的影响。X射线衍射分析结果表明:Er/Yb掺杂导致ZnO薄膜的晶粒细化及择优取向性消失,ZnO晶粒随退火温度的增加而逐渐长大。900℃退火时,出现Er3+、Yb3+偏析,退火温度高于1000℃时,薄膜与基体间发生了界面反应,1200℃时,ZnO完全转变为Zn2SiO4相。光致发光测量结果表明:高于900℃退火处理后,Er/Yb共掺ZnO薄膜在1540 nm附近具有明显的光致发光,发光强度在退火温度为1050℃时达到最大值;光致发光光谱呈现典型的晶体基质中Er3+离子发光光谱所具有的明锐多峰结构特征。此外,探讨了薄膜结构演化及其对光致发光光谱的影响。
- 段淑卿谭娜苗壮刘志文张庆瑜
- 关键词：光通信光致发光ZNO薄膜
- 晶体结构对Er／Yb共掺ZnO薄膜光致荧光特性的影响
- 采用脉冲磁控溅射技术制备了Er／Yb共掺ZnO薄膜,对不同退火温度下薄膜晶体结构和光致荧光(PL)光谱进行了系统分析,探讨了退火处理所导致的晶体结构变化以及反应新相的生成对Er3+离子激活、薄膜PL光谱的影响。研究结果表...
- 谭娜段淑卿张庆瑜
- 关键词：晶体结构光致荧光
- 文献传递
- 晶体结构对Er/Yb共掺ZnO薄膜光致荧光光谱的影响
- Er离子内层4f电子跃迁表现为1.54μm波段的近红外发射,对应着硅基光纤通讯的最低损耗窗口,在光通讯领域得到了广泛的应用。为此,各国学者对不同基质的Er掺杂材料进行了广泛地研究,取得了一些重要研究成果。本文采用脉冲磁控...
- 谭娜苗壮李善峰段淑卿张庆瑜
- 文献传递
- 晶体结构对Er/Yb共掺ZnO薄膜光致荧光特性的影响被引量：2
- 2006年
- 采用脉冲磁控溅射技术制备了Er/Yb共掺ZnO薄膜,对不同退火温度下薄膜晶体结构和光致荧光(PL)光谱进行了系统分析,探讨了退火处理所导致的晶体结构变化以及反应新相的生成对Er3+离子激活、薄膜PL光谱的影响.研究结果表明,退火处理所导致的Er3+离子PL光谱的变化与薄膜的微观状态之间有着密切的联系.在室温到1050℃退火温度范围内,Er/Yb共掺ZnO薄膜为多晶结构,薄膜荧光强度的增加主要是薄膜内氧含量增加、缺陷减少使Er3+离子荧光寿命增加以及Er3+离子激活比例增加所致.当退火温度超过1050℃,荧光强度的明显降低是由新相生成造成缺陷增加以及薄膜内氧含量降低引起.在整个退火温度范围内,薄膜的PL光谱都表现为同一种光谱特性,即明锐的多峰结构,这说明Er3+在ZnO和Zn2SiO4中的周围环境非常相似.
- 谭娜段淑卿张庆瑜
- 关键词：晶体结构光致荧光
