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李有忠
作品数:
11
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供职机构:
苏州大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张立军
苏州大学
王子欧
苏州大学
季爱明
苏州大学
张一平
苏州大学
鲁征浩
苏州大学
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11篇
苏州大学
作者
11篇
李有忠
10篇
张立军
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王子欧
6篇
季爱明
5篇
张一平
3篇
吴澄
3篇
鲁征浩
2篇
朱灿焰
1篇
吴浩
年份
1篇
2019
5篇
2018
4篇
2017
1篇
2013
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一种提高SRAM良率的补偿电路
本发明公开了一种提高SRAM良率的补偿电路,尤其包括以PMOS补偿电路,PMOS补偿电路的时序追踪位线DBL路径的一端与时序追踪单元Dummy Cell的一端连接,时序追踪位线DBL路径的另一端连接时序控制电路FSM L...
吴澄
张立军
季爱明
李有忠
佘一奇
桑胜男
马亚奇
顾昌山
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一种伪器件辅助灵敏放大器电路
本发明公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路,其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连接到...
张一平
王子欧
张立军
李有忠
季爱明
朱灿焰
文献传递
一种伪器件辅助灵敏放大器电路
本发明公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路,其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连接到...
张一平
王子欧
张立军
李有忠
季爱明
一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路
本发明公开了一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路,其包括第一字线逻辑电路、负脉冲产生电路、第二字线控制电路、第一反相器和第二反相器;所述第一字线逻辑电路的输出端连接到第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端连接...
张一平
王子欧
季爱明
张立军
李有忠
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一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路
本实用新型公开了一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路,其包括第一字线逻辑电路、负脉冲产生电路、第二字线控制电路、第一反相器和第二反相器;所述第一字线逻辑电路的输出端连接到第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端...
张一平
王子欧
季爱明
张立军
李有忠
文献传递
一种伪器件辅助灵敏放大器电路
本实用新型公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路,其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连...
张一平
王子欧
张立军
李有忠
季爱明
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基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元及存储器
本发明公开了一种基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元及存储器,包括对称分布的第一、第二两管串联型Nor flash单元,第一两管串联型Nor flash单元包括PMOS晶体管M1和浮栅晶体管M2,第...
张立军
王子欧
鲁征浩
李有忠
刘金陈
陈泽翔
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应力对体硅和硅纳米线特性影响的第一性原理研究
鉴于应变硅技术在当今集成电路领域的广泛应用,本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算集中研究了应力对体硅和硅纳米线物理、电学特性的影响。首先,我们计算了体硅在静水压、双轴应力和单轴应力下的能带结构、导带底能量分裂和带隙...
李有忠
关键词:
硅纳米线
第一性原理
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基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元及存储器
本发明公开了一种基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元及存储器,包括呈差分对称结构的第一、第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元,第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元包括串联的PMOS晶体管MP1和熔丝R1,第二晶体管熔丝...
鲁征浩
张立军
王子欧
陈泽翔
李有忠
刘金陈
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基于串联晶体管型的改进的差分架构OTP存储单元及存储器
本发明公开了一种基于串联晶体管型的改进的差分架构OTP存储单元及存储器,包括呈差分对称结构的第一、第二两管串联型OTP存储单元,第一两管串联型OTP存储单元包括串联的PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2,第二两管串...
张立军
吴澄
王子欧
鲁征浩
陈泽翔
李有忠
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