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李忠贺

作品数：2 被引量：9H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇NBTI
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化工艺
  • 1篇电路
  • 1篇偏压
  • 1篇氢气
  • 1篇阈值电压
  • 1篇负偏压温度不...
  • 1篇NBTI效应
  • 1篇PMOSFE...
  • 1篇CMOS电路

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇李忠贺
  • 1篇刘红侠
  • 1篇郝跃

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理被引量：9
2006年
对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的漂移上.实验证明反型沟道中空穴在栅氧中的俘获以及氢分子在栅氧中的扩散是引起NBTI退化的主要原因.当应力条件变为PBT时,陷落的空穴可以快速退陷,但只有部分氢分子可以扩散回栅氧与衬底界面钝化硅悬挂键,这就导致了PBT条件下阈值电压只能部分恢复.
李忠贺刘红侠郝跃
关键词：负偏压温度不稳定性氢气
PMOSFET’s中的NBTI效应研究
NBTI效应已经成为限制器件可靠性的重要因素，在器件尺寸缩小到超深亚微米及纳米尺度后，NBTI效应造成的影响日益严重。已经超越HCI效应成为CMOS电路退化乃至失效的重要因素。所以很有必要对NBTI效应进行深入研究。本文...
李忠贺
关键词：NBTI效应CMOS电路氮化工艺阈值电压
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