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等离子体发射光谱及其在ZnO薄膜生长中的应用: 本文通过发射光谱实验,研究了一种以ICP的电源配给方式提供给天线,激发处在恒定磁场中的石英钟罩内的气体来形成等离子体,我们称之为磁场增强ICP的新型等离子体源。得出磁场的引入降低了感应耦合等离子体向高密度模式转变的功率阈...; 李勇; 关键词：等离子体发射光谱 ICP ZNO 薄膜生长反应磁控溅射; 文献传递

磁控溅射ZnO薄膜生长的等离子体发射光谱研究被引量：11: 2006年; 通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时,Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强度基本保持不变;当沉积温度介于250—550℃时,光谱强度随沉积温度的增加呈线性增加的趋势;当沉积温度大于550℃以后,光谱强度随沉积温度的增加而迅速增加.通过沉积温度的控制可以实现满足或接近化学计量配比的ZnO薄膜的生长,适合高质量ZnO薄膜沉积的温度介于650—800℃,750℃下沉积的ZnO薄膜具有比较低的缺陷密度和明显的室温紫外光致荧光发射.; 李勇孙成伟刘志文张庆瑜; 关键词：ZNO 薄膜生长反应磁控溅射等离子体发射光谱

工作气压对磁控溅射ZnO薄膜结晶特性及生长行为的影响被引量：28: 2006年; 采用射频反应磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和透射光谱分析技术,对不同工作气压下合成的ZnO薄膜的表面形貌、微观结构和光学性能进行表征,研究了工作气压对ZnO薄膜的结晶性能以及生长行为的影响.研究结果显示:对于Ar/O2流量比例接近1∶1的固定比值下,ZnO薄膜的生长行为主要取决于成膜空间中氧的密度,临界工作气压介于0·5—1·0Pa之间.当工作气压小于临界值时,ZnO薄膜的成核密度较高,且随工作气压的变化明显,ZnO的生长行为受控于氧的密度,属于氧支配的薄膜生长;当工作气压大于临界值以后,ZnO薄膜的成核密度基本保持不变,Zn原子的数量决定薄膜的生长速率;在0·1—5·0Pa的工作气压范围内,均可获得高度c轴取向的ZnO薄膜,但工作气压的变化改变着ZnO晶粒之间的界面特征和取向关系.随着工作气压的增加,ZnO晶粒之间的界面失配缺陷减少,但平面织构特征逐渐消失,三叉晶界的空洞逐渐扩大,薄膜的密度下降,折射率减小.; 刘志文谷建峰付伟佳孙成伟李勇张庆瑜; 关键词：ZNO薄膜磁控溅射表面形貌微观结构光学性能

氧分压对RF磁控溅射ZrO_2薄膜生长特性的影响被引量：1: 2004年; 采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型(100)单晶Si基片上沉积了ZrO_2薄膜,研究了氧分压与ZrO_2薄膜的表面粗糙度和沉积速率、SiO_2中间界层的厚度以及ZrO_2薄膜的折射率之间关系。结果表明:随着氧分压增高,薄膜的沉积速率降低,表面粗糙度线性地增加;在低的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO_2层的厚度增加幅度较小,在高的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO_2层的厚度有较大幅度地增加;在O_2/Ar混和气氛下,溅射沉积的ZrO_2薄膜的折射率受氧分压的影响不显著,而在纯氧气气氛环境下,ZrO_2薄膜的折射率明显偏低,薄膜的致密性变差。; 马春雨李智李勇张庆瑜; 关键词：ZRO2薄膜沉积速率表面粗糙度

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李勇