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朱景芝

作品数：4 被引量：15H指数：3
供职机构：西北工业大学材料学院更多>>
发文基金：中国航空科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇XC
  • 3篇X
  • 2篇溅射
  • 2篇红外
  • 2篇反应溅射
  • 2篇保护膜
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控反应溅射
  • 1篇增透
  • 1篇增透膜
  • 1篇溅射制备
  • 1篇红外材料
  • 1篇红外增透膜
  • 1篇沉积速率

机构

  • 4篇西北工业大学

作者

  • 4篇刘正堂
  • 4篇朱景芝
  • 3篇郑修麟
  • 1篇宋建全
  • 1篇耿东生

传媒

  • 1篇红外技术
  • 1篇材料工程
  • 1篇激光与红外
  • 1篇金属热处理学...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 2篇1996
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
反应溅射 Ge_XC_(1-X) 薄膜的沉积速率被引量：6
1998年
系统地研究了射频磁控反应溅射中工艺参数对ＧｅＸＣ１－Ｘ薄膜沉积速率的影响。结果表明，当气体流量比超过某值后，沉积速率有较大的下降。沉积速率随射频功率的增大而增大。某工作气压下有沉积速率的最大值。薄膜厚度随时间的增长规律在出现靶中毒及未出现靶中毒的情况下略有差别。
刘正堂朱景芝宋建权郑修麟
关键词：磁控反应溅射沉积速率
射频反应溅射Ge_xC_（1－x）薄膜的特性被引量：5
1996年
射频反应溅射Ｇｅ_ｘＣ_（１－ｘ）薄膜的特性刘正堂，朱景芝，许念坎，郑修麟（西北工业大学材料科学与工程系，西安，７１００７２）［摘要］通过在Ａｒ＋ＣＨ４气体中的射频反应溅射法制备出ＧｅｘＣ（１－ｘ）薄膜。利用俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射、光度计及硬度测定等...
刘正堂朱景芝许念坎郑修麟
关键词：保护膜红外材料
磁控反应溅射制备Ge_xC_(1-x)薄膜的结构被引量：1
2000年
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子谱 (XPS)对制备的薄膜进行了分析。结果表明 ,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数。当沉积温度较低、射频功率不大时 ,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构。随着沉积温度升高、射频功率增大 ,薄膜中出现Ge微晶相。GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移 ,形成化学键。
刘正堂耿东生宋建全朱景芝郑修麟
关键词：磁控反应溅射
红外增透膜和保护膜的设计与材料被引量：6
1996年
综述了红外增透膜和保护膜的设计方法，并介绍了几种新型红外镀膜材料。
朱景芝刘正堂
关键词：红外增透膜保护膜
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