朱建国
- 作品数：403 被引量：773H指数：16
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- (1-x)BiScO3-xPbTiO3铁电陶瓷的制备与性能研究
- 用传统氧化物合成法制备了0．36BiScO3-0．64PbTiO3（BSPT）铁电陶瓷。采用XRD和SEM等分析技术,研究了 BSPT陶瓷的结构特点和微观形貌,测试了BSPT陶瓷的介电、压电性能。实验结果表明,利用传统氧...
- 陈异监德均陈强肖定全朱建国
- 关键词：铁电陶瓷压电性SEM
- 文献传递
- (1-x)Pb(Ta0．5Sc0．5)O3-xPb(Zr0.52Ti0．48)O3(0．1≤x≤0．5)弛豫铁电陶瓷的制备工艺及其性能
- 2008年
- 利用短时研磨(粗磨,2 h)和长时研磨(细磨,48 h)两种不同的研磨工艺并结合B位复合陶瓷制备的一步法工艺流程,制备并研究了铅基钙钛矿弛豫铁电陶瓷(1-x)Pb(Ta0.5Sc0.5)O3-xPb(Zr0.52Ti0.48)O3(0.1≤x≤0.5)(PSTZT)。由细磨工艺制备的陶瓷在1 200℃下烧结2 h获得了纯钙钛矿相;细磨工艺PSTZT陶瓷表面平整、晶粒细小、致密性高,其介电与压电性能、热释电性能等全面优于粗磨工艺陶瓷。
- 张雪峰蓝德均欧俊邹敏朱建国
- 钛酸铋钠钾锂无铅陶瓷的柠檬酸制备技术被引量：10
- 2006年
- 以钠、钾、锂的碳酸盐为原料,采用柠檬酸盐—凝胶法制备了B i0.5(Na1-x-yL ixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,研究了影响凝胶合成的各种工艺条件,利用TG-DTA,SEM,XRD,纳米粒度分析等技术分析了凝胶预烧温度及预烧粉体的粒度分布。研究结果表明:柠檬酸与金属离子的物质的量比、溶液浓度、pH是影响前驱液与凝胶形成的主要因素;用柠檬酸盐—凝胶法合成的B i0.5(Na1-x-yL ixKy)TiO3粉体粒度细小均匀,合成温度低;陶瓷的压电常数d33可达138 pC/N,其平面机电耦合系数kp为0.30。
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- 关键词：无铅压电陶瓷
- 水热电化学技术及其在陶瓷薄膜制备中的应用被引量：30
- 2002年
- 本文概括介绍软溶液工艺技术 (SoftSolutionProcess ing简记为SSP)中的重要工艺技术 水热电化学制备技术的基本原理和特点 ,重点介绍该技术在先进陶瓷薄膜材料 (尤其是具有钙钛矿结构ABO3 型薄膜 )制备中的主要应用及其优势 。
- 高道江肖定全张文朱建国申林
- 关键词：无机材料陶瓷薄膜
- (1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-xPbTiO_3陶瓷的结晶性能和介电特性被引量：1
- 2002年
- 在钽钪酸铅中加入钛酸铅,形成具有复合钙钛矿结构的钽钪酸铅-钛酸铅固溶体,可以提高钽钪酸铅材料体系的居里点,降低其制备温度,从而扩大该体系的应用范围.用一步法合成了钽钪酸铅-钛酸铅陶瓷,测试了介电常数和温度的关系.实验结果表明,这种陶瓷的钙钛矿相含量均在90％以上,最高相含量达100％;该种陶瓷的工艺简单,合成温度低,钙钛矿含量高,有望在工业化生产中得到推广.
- 曹健乐夕朱建国肖定全
- 关键词：介电特性铁电陶瓷弛豫铁电体钛酸铅
- 钛酸铋钠钾锂银系无铅压电陶瓷
- 钛酸铋钠钾锂银系无铅压电陶瓷，涉及一类新型的多元系无铅压电陶瓷组合物，属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域。本发明提供的组合物可以用通式Bi<Sub>0.5</Sub>(Na<Sub>1-x-y-z</Sub>K<Sub...
- 赁敦敏肖定全朱建国余萍
- 文献传递
- Yb2O3掺杂低温烧结PZT基压电陶瓷性能研究
- 用传统固相反应法在900 ℃ 的烧结温度下合成PNN-PMW-PZT+BCW 压电陶瓷,表征了所制得陶瓷的相结构、微观形貌、压电性能、介电性能、铁电性能等相关性能.随着Yb2O3 的掺入,陶瓷的压电性能大大提高,在掺入量...
- 张倩岳洋刘洪朱建国余萍肖定全
- 关键词：PZT陶瓷压电性能
- Ti_3AlC_2的高温临氢行为被引量：2
- 2014年
- 研究了Ti3Al C2体材料在氢气氛中的高温(1100~1400℃)热稳定性。采用XRD、SEM、SIMS和Raman分析等手段对Ti3Al C2临氢反应前后的物相组成、表面形貌进行了表征;使用热力学软件Factsage计算了反应过程中的气态产物。结果表明,在1100~1400℃氢气氛条件下有少量H溶解在Ti3Al C2材料中,Ti3Al C2发生了以Al元素缺失为特征的有限程度的分解反应。缺失的Al元素与气氛中极微量的氧反应形成了均匀但不致密的Al2O3膜;而当反应温度为1400℃时,Al2O3膜发生了明显的脱落。使用热力学软件的计算结果预测,部分缺失Al元素与H2反应生成气体产物Al H。初步的研究结果表明,在1300℃以下Ti3Al C2具有较好的耐氢性能。
- 陈辰张海斌彭述明龙兴贵朱建国
- 关键词：无机非金属材料临氢高温TI3ALC2
- 一种具有磁电阻传感器件灵敏度温漂补偿功能的电源电路
- 本发明涉及一种具有磁电阻传感器件灵敏度温漂补偿功能的电源电路。磁电阻传感器件的灵敏度具有负的线性温度系数。本发明包含温度检测电路，与温度无关的电压基准，运算电路和线性稳压电源电路。针对灵敏度温度系数为‑C<Sub>T</...
- 朱华辰李婉婉钱正洪王志强朱建国
- 高压退火对0.65PMN-0.35PT薄膜结构、形貌及电学性能的影响被引量：2
- 2013年
- 利用射频磁控溅射技术在LaNiO3/SiO2/Si(100)基底上制备了厚度约为250nm的0.65PMN-0.35PT(PMN-PT)薄膜.研究高压氧氛围退火方式对PMN-PT薄膜晶体结构、形貌以及电学性能的影响.经过XRD测试发现,在高压氧气氛围中,温度为400C下退火后的PMN-PT薄膜具有纯的钙钛矿相结构,具有完全的(100)择优取向,且衍射峰尖锐,表明经过高压退火后的薄膜结晶极为充分.SEM表面形貌测试结果显示,经高压退火处理的PMN-PT薄膜表面呈现出棒状或泡状的形貌.铁电性能测试表明:氧气氛围压强4MPa,退火时间4h的PMN-PT薄膜样品具有较好的铁电性能,其剩余极化强度Pr达到10.544μC/cm2,且电滞回线形状较好,但漏电流较大,这可能是由于其微结构所导致.同时介电测试发现:PMN-PT薄膜样品具有极好的介电性能,其在1kHz下测试的介电常数εr达到913,介电损耗tgδ较小,仅为0.065.
- 郭红力杨焕银唐焕芳侯海军郑勇林朱建国
- 关键词：射频磁控溅射介电
