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曾昱嘉

作品数：40 被引量：70H指数：6
供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 18篇P型
  • 14篇ZNO
  • 13篇发光
  • 13篇P型ZNO
  • 9篇晶体薄膜
  • 9篇溅射
  • 9篇磁控
  • 9篇磁控溅射
  • 7篇ZNO薄膜
  • 6篇同质结
  • 6篇匹配性
  • 6篇脉冲激光
  • 6篇脉冲激光沉积
  • 6篇脉冲激光沉积...
  • 6篇二极管
  • 6篇发光二极管
  • 6篇P型ZNO薄...
  • 6篇P型掺杂
  • 6篇AL
  • 6篇掺杂

机构

  • 40篇浙江大学

作者

  • 40篇曾昱嘉
  • 39篇叶志镇
  • 23篇赵炳辉
  • 19篇朱丽萍
  • 16篇吕建国
  • 12篇卢洋藩
  • 11篇黄靖云
  • 9篇袁国栋
  • 7篇徐伟中
  • 5篇张银珠
  • 5篇汪雷
  • 4篇何海平
  • 2篇潘新花
  • 2篇金一政
  • 2篇黄海辉
  • 2篇杨叶锋
  • 2篇诸葛飞
  • 2篇顾修全
  • 2篇林时胜
  • 2篇陈凌翔

传媒

  • 5篇Journa...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇材料导报
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇中国科技论文...
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇TFC’03...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 10篇2007
  • 7篇2006
  • 5篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2003
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnO基量子点发光二极管
本实用新型公开的ZnO基量子点发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积n－ZnO薄膜层、n－Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O薄膜层、ZnO量子点层、p－Zn<Sub>1－x</...
叶志镇曾昱嘉
文献传递
一种Li－N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
本发明公开的Li－N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法，以高纯N<Sub>2</Sub>O为生长气氛，在反应室中电离，N<Sub>2</Sub>O为氮掺杂源，在10～20Pa的压强下，以ZnO－Li...
吕建国叶志镇张银珠曾昱嘉朱丽萍赵炳辉
文献传递
ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光被引量：3
2007年
本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术,其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等;在p型掺杂的基础上,实现ZnO同质p-n结室温电注入发光。
叶志镇曾昱嘉卢洋藩何海平
关键词：ZNOP型掺杂发光二极管
生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响被引量：1
2007年
研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
卢洋藩叶志镇曾昱嘉徐伟中朱丽萍赵炳辉
关键词：ZNOP型掺杂金属有机化学气相沉积射频等离子体
MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量：15
2005年
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
叶志镇徐伟中曾昱嘉江柳赵炳辉朱丽萍吕建国黄靖云汪雷李先杭
关键词：ZNOLEDP型掺杂金属有机化学气相沉积
Li掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
本发明公开的Li掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，将衬底清洗后放入直流反应磁控溅射装置反应室中，反应室抽真空，以锌锂合金为靶材，以O<Sub>2</Sub>和Ar作为溅射气氛，在3～5Pa压强下，于40...
叶志镇曾昱嘉吕建国朱丽萍赵炳辉
文献传递
Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na<Sub>2</Sub>O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Na<...
叶志镇林时胜曾昱嘉赵炳辉陈凌翔顾修全
文献传递
非故意掺杂ZnO薄膜中受主行为的研究
本文采用等离子体辅助金属有机物化学气相沉积法在不同衬底上生长非故意掺杂p型ZnO薄膜.最佳电阻率为12.7 cm,空穴浓度为1.88×1017 cm-3,迁移率达2.6 cm2/V s.二次离子质谱测试表明薄膜中的氧含量...
曾昱嘉叶志镇卢洋藩徐伟中朱丽萍赵炳辉
关键词：金属有机物化学气相沉积光致发光ZNO薄膜
文献传递
氧化锌基材料的能带结构与光电性能的调控机理及应用
叶志镇朱丽萍吕建国何海平金一政袁国栋杨叶锋黄靖云曾昱嘉汪雷潘新花卢洋藩赵炳辉
宽带隙半导体氧化锌(ZnO)可发紫蓝光，透明导电；物丰价廉、环境友好，具有可持续发展优势，在白光照明与显示产业均可发挥重要作用，潜力巨大。该项目围绕能带结构和光电性能调控机理展开深入系统研究，这是实现ZnO光电应用亟需解...
关键词：
关键词：纳米晶材料半导体材料
ZnO薄膜p型掺杂的研究及ZnO纳米点的可控生长
氧化锌(ZnO)是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，具有直接带隙能带结构，室温禁带宽度为3.37eV，对应于近紫外光波段。另外，ZnO还具有60 meV的高激子束缚能，其激子在室温下可以稳定存在，易于实现室温或更高温度下...
曾昱嘉
关键词：氧化锌薄膜半导体材料
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