曹敏
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：上海理工大学能源与动力工程学院更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的电子束制备法
- 本发明涉及一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备方法，在真空条件下，将CdS粉末通电加热后采用升华的方式蒸发沉积到衬底上形成CdS薄膜，具体步骤为：选择玻璃、不锈钢金属箔或硅片作为衬底，将其放入50～100℃含有表面活...
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- 文献传递
- 一种高效纳米天线太阳能电池的制作方法
- 本发明涉及一种高效纳米天线太阳能电池的制作方法。先用乙醇或丙酮有机溶剂与纳米硅粉按质量体积比纳米硅（g）：有机溶剂（ml）1:200比例配置悬浊液，采用旋涂法把浊液旋涂到金属衬底上进行衬底修饰；在800～1000℃温度，...
- 门传玲曹军邓闯朱德明曹敏张华
- 基于P掺杂SiO_2为栅介质的超低压侧栅薄膜晶体管被引量：3
- 2013年
- 在室温下利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的颗粒膜P掺杂SiO2为栅介质,使用磁控溅射方法利用一步掩模法制备出一种新型结构的侧栅薄膜晶体管.由于侧栅薄膜晶体管具有独特的结构,在射频磁控溅射过程中,仅仅利用一块镍掩模板,无需复杂的光刻步骤,就可同时沉积出氧化铟锡(ITO)源、漏、栅电极和沟道,因此,这种方法极大地简化了制备流程,降低了工艺成本.实验结果表明,在P掺杂SiO2栅介质层与沟道层界面处形成了超大的双电层电容(8μF/cm2),这使得这类晶体管具有超低的工作电压1V,小的亚阈值摆幅82mV/dec、高的迁移率18.35cm2/V·s和大的开关电流比1.1×106.因此,这种P掺杂SiO2双电层超低压薄膜晶体管将有望应用于低能耗便携式电子产品以及新型传感器领域.
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- 关键词：超低压
- CdS薄膜的真空热蒸发制备及在CIGS薄膜太阳电池中的应用
- 2014年
- 采用真空热蒸发（VTE）的方法制备了CdS多晶薄膜，研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响。结果显示，不同衬底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有（002）择优取向；随着衬底温度的升高，（002）特征衍射峰强度增加，半高宽变小，相应薄膜结晶度增大；由CdS薄膜的透射光谱可知，在5001000nm波段平均透过率均超过80％，光学带隙随着衬底温度的升高而增大（2．44～2．56eV），表明真空热蒸发方法制备的CdS薄膜可以作为CIGS薄膜太阳电池的缓冲层。将真空热蒸发法制备CdS薄膜与磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳电池相结合，在同一真空室内得到了CIGS薄膜太阳电池器件，为CIGS薄膜太阳电池的工业化推广提供了新途径。
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- 关键词：CDS薄膜CIGS薄膜太阳电池磁控溅射
- 一种纳米天线太阳能电池的制作方法
- 本发明涉及一种纳米天线太阳能电池的制作方法。先用乙醇或丙酮有机溶剂与纳米硅粉按质量体积比纳米硅(g)：有机溶剂(ml)1:200比例配置悬浊液，采用旋涂法把浊液旋涂到金属衬底上进行衬底修饰；在800～1000℃温度，40...
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- 文献传递
