张红梅
- 作品数：8 被引量：26H指数：3
- 供职机构：河北科技大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金河北省科技厅指导计划项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 铁磁/半导体/铁磁异质结构的自旋极化输运
- 2007年
- 采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁异质结构的隧穿几率和自旋极化率.研究表明,隧穿几率和自旋极化率随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在2铁磁电极中磁矩取向平行时;选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的自旋极化率.
- 张红梅刘德
- 关键词：自旋极化输运自旋轨道耦合
- 石墨烯双势垒结构中的输运特性被引量：4
- 2011年
- 利用Landauer-Büttiker散射理论和传递矩阵方法研究了单层石墨烯双势垒结构中的隧穿几率和电导。计算结果表明:即使存在克莱因隧穿效应,单层石墨烯双势垒结构中的量子隧穿仍然与势阱宽度和势垒高度密切相关。隧穿几率和电导表现出复杂的振荡行为,振荡的振幅和周期敏感地依赖于势阱宽度、势垒高度、电子的入射能量和入射角度。因此,可以通过改变系统的结构参数对单层石墨烯双势垒结构中的电子输运性质进行控制。
- 张红梅
- 关键词：石墨烯隧穿DIRAC方程
- LiNbO_3:Ni^(2+)的常压能谱和g因子被引量：7
- 2002年
- 采用强场方案 ,通过将d8完全能量矩阵对角化 ,统一计算了LiNbO3:Ni2 + 的常压能谱和g因子 ,计算结果与大量实验数据符合很好 .给出了各个能级对不同参量的变化率 .研究表明 ,利用对角化完全能量矩阵获得的波函数对g因子所作的计算为整个理论计算及波函数的归属提供了重要判据 ,充分体现了将能谱和g因子作统一计算的重要性和必要性 .
- 张红梅马东平刘德
- 关键词：晶场G因子铌酸锂晶体镍掺杂
- 传递矩阵方法与矩形势垒的量子隧穿被引量：10
- 2006年
- 利用传递矩阵方法精确计算了一维定态薛定谔方程,求解出电子穿过矩形势垒的透射系数,进一步研究了该透射系数与有效质量和矩形势垒参数的关系。数值计算结果表明,有效质量和矩形势垒参数对透射系数的影响同等重要。
- 张红梅刘德
- 关键词：量子隧穿透射系数
- 双势垒磁性隧道结中电子的自旋极化输运被引量：2
- 2010年
- 采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,数值计算了两端具有铁磁接触的双势垒异质结构(F/DB/F)中自旋相关的隧穿概率和自旋极化率。结果表明,隧穿概率和自旋极化率随阱宽的增加发生周期性振荡,且振荡周期不随垒厚变化;隧穿概率和自旋极化率的振荡频率随Rashba自旋轨道耦合强度的增加而增大;隧穿概率和自旋极化率的振幅和峰谷比强烈依赖于两铁磁电极中磁化方向的夹角。与铁磁/半导体/铁磁(F/S/F)磁性隧道结中的结果相比,发现随着垒厚的增加,隧穿概率和自旋极化率的峰谷比增大,自旋极化率的取值明显增大,并出现自旋劈裂和自旋翻转现象。
- 刘德张红梅翟利学
- 关键词：自旋极化输运RASHBA自旋轨道耦合
- 双势垒异质结构中自旋相关的散粒噪声被引量：2
- 2010年
- 利用Landauer-Büttiker散射理论和传递矩阵方法研究了两端具有铁磁接触的双势垒异质结构(F/DB/F)中自旋相关的散粒噪声。计算结果表明:电流和散粒噪声随阱宽的增加发生周期性的振荡,随着垒厚的增加产生了明显的相位差,与自旋向上电子相比,垒厚对自旋向下电子的电流和散粒噪声影响更大。Rashba自旋轨道耦合强度的增加加大了电流和散粒噪声的振荡频率。偏压的增加减小了电流和散粒噪声的振荡频率,增大了电流和散粒噪声的峰谷比和峰值。电流和散粒噪声随自旋轨道耦合强度和偏压的变化强烈依赖于两铁磁电极中磁化方向的夹角。
- 刘德张红梅王博瑜
- 关键词：RASHBA自旋轨道耦合
- 对称抛物势阱磁性隧道结中的自旋输运及磁电阻效应被引量：3
- 2011年
- 研究了两端具有铁磁接触的对称抛物势阱磁性隧道结(F/SPW/F)中自旋相关的隧穿概率和隧穿磁电阻,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合作用对自旋极化输运特性的影响.研究结果表明:隧穿概率和隧穿磁电阻随抛物势阱宽度的增加发生周期性的振荡.抛物势阱深度的增加减小了隧穿概率和隧穿磁电阻的振荡频率.Rashba自旋轨道耦合强度的增加加大了隧穿概率和隧穿磁电阻的振荡频率.隧穿概率和隧穿磁电阻的振幅和峰谷比强烈依赖于两铁磁电极中磁化方向的夹角.
- 刘德张红梅贾秀敏
- 关键词：磁性隧道结RASHBA自旋轨道耦合隧穿磁电阻
- 铁磁/半导体/铁磁隧道结中的隧穿磁电阻被引量：2
- 2007年
- 采用相干量子输运理论和传递矩阵方法研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁隧道结的隧穿几率和隧穿磁电阻。研究表明隧穿几率和隧穿磁电阻随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在两铁磁电极中磁矩取向平行时,选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的隧穿磁电阻。
- 张红梅
- 关键词：隧道结隧穿磁电阻自旋轨道耦合
