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张永良

作品数：2 被引量：6H指数：1
供职机构：浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇BCD工艺
  • 1篇单片
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇电源
  • 1篇电源管理
  • 1篇延迟时间
  • 1篇热插拔
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路设计
  • 1篇过流
  • 1篇过流保护
  • 1篇过压
  • 1篇过压保护
  • 1篇比较器
  • 1篇插拔
  • 1篇电源管

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇吴晓波
  • 2篇张永良
  • 2篇严晓浪
  • 1篇章丹艳
  • 1篇赵双龙

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 2篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于BCD工艺的单片热插拔控制集成电路设计被引量：5
2006年
为保证系统在热插拔过程中安全工作，避免因之导致系统崩溃及系统与部件的损坏，提出一种热插拔控制芯片的设计，针对热插拔过程中可能产生的浪涌电流和过流、过压等故障现象，芯片设计中设置了多重保护功能，包括自动限制启动电流，过流时切断电路以及过压时断电，长时过压触发SCR为负载提供撬棒保护等，另外，设计了低压诊断、负载电压等检测功能，由于芯片工作中涉及较高电压和较大电流，电路采用BCD工艺（bipolar，CMOS—DMOS）实现，并对系统、电路和版图进行了优化、制得的芯片面积约为2.5mm×2.0mm，可在4.5--16、5V电压范围内正常工作，12.0V电源电压下芯片功耗约为18mW，对芯片的测试结果表明，所设计的电路功能和特性已成功实现。
吴晓波张永良章丹艳严晓浪
关键词：热插拔过流保护过压保护BCD工艺
基于BCD工艺的新型比较器的设计被引量：1
2006年
一般比较器往往只能提供固定延迟时间的跳变信号,这样对后级执行电路产生很大的局限性。文章提出一种延迟时间可调的新型电压迟滞比较器设计,电路在1.5μmBCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺下实现。该比较器的正跳变点电压为1.270V,迟滞电压为3mV,上升延迟时间为20μs,且可以根据需要方便地予以调节。该比较器最小分辨率为±0.1mV,具有结构简单、通用性好和功耗低的特点,可广泛应用于不同的SoC环境。
张永良吴晓波赵双龙严晓浪
关键词：电源管理延迟时间BCD工艺
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