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张正元

作品数:49 被引量:5H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信文化科学医药卫生更多>>

文献类型

  • 42篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 15篇电路
  • 10篇微电子
  • 10篇感器
  • 10篇传感
  • 10篇传感器
  • 8篇微电子机械
  • 8篇微电子机械系...
  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 6篇压力传感器
  • 6篇谐振
  • 6篇力传感器
  • 6篇集成电路
  • 5篇电阻
  • 5篇硅薄膜
  • 5篇封装
  • 4篇单片
  • 4篇单片集成
  • 4篇电容式
  • 4篇动部件

机构

  • 48篇中国电子科技...
  • 2篇第三军医大学
  • 2篇重庆大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇电子工业部

作者

  • 49篇张正元
  • 14篇刘玉奎
  • 10篇徐世六
  • 10篇税国华
  • 7篇梅勇
  • 7篇杨国渝
  • 7篇邱盛
  • 5篇谭开洲
  • 5篇王妍
  • 5篇李小刚
  • 5篇冯志成
  • 4篇李儒章
  • 4篇胡明雨
  • 3篇徐学良
  • 3篇崔伟
  • 2篇戴永红
  • 2篇胡刚毅
  • 2篇李招权
  • 2篇邓均
  • 2篇张俊安

传媒

  • 3篇微电子学
  • 1篇重庆医学
  • 1篇第三军医大学...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第八届中国微...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 5篇2007
  • 3篇2006
  • 5篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2003
49 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造方法
本发明涉及一种高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造方法。该方法步骤包括:首先利用硅/硅键合、减薄抛光技术方法获得所需要的SOI片,然后在SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的介质隔离技术方法结合纵向PNP与纵向N...
徐世六张正元刘玉奎胡永贵税国华
文献传递
一种单片集成硅压力传感器的放大控制电路设计
本文针对单片集成压力传感器信号的识取和处理,提出了一种高增益、全摆幅的运算放大电路.电路采用两级放大,具有对称的输入结构和全摆幅输出结构.将电路通过计算机软件PSPICE进行模拟,在5V的电源电压下,放大电路开环增益可达...
曾鹏张正元
关键词:压力传感器仪表放大器电路设计
文献传递
柔性电子弯曲加载装置
本申请提供一种柔性电子弯曲加载装置,包括:承载柔性电子器件且能旋转所述柔性电子器件的测试机构;与所述测试机构配套的可变曲率弯曲加载机构,所述可变曲率弯曲加载机构调节不同曲率半径的圆棒,将对应曲率半径的弯曲加载到所述测试机...
陈仙张培健廖希异王妍蒋飞宇邱盛张正元
文献传递
一种电容式压力传感器及其制备方法
本发明公开了一种电容式压力传感器,包括由导电单晶硅可动电极板和金属固定电极构成的平板电容,还包括导电单晶硅基底和设置在导电单晶硅可动电极板和导电单晶硅基底之间的导电支承结构,所述导电单晶硅可动电极板、导电单晶硅基底和导电...
张正元胡刚毅李勇建梅勇张志红李小刚
通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法
本发明公开了一种通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的制作方法,包括:1)对硅衬底进行氟离子注入;2)对所述硅衬底进行氮离子注入;3)对所述硅衬底进行硼离子注入;4)对所述硅衬底进行氮气退火。本发明通过采用氟、氮、硼混合注入...
王学毅张扬波张正元谭开洲
文献传递
玻璃管与MEMS芯片气密性烧结装置
本发明公开了一种玻璃管与MEMS芯片气密性烧结装置,它包括主体机座、加热炉体、升降调节件和升降压力调节手柄,截止阀和抽气连接件等。本发明的装置中,采用两个MEMS芯片与玻璃管烧结在一起,玻璃管与抽真空设备相连抽真空,让玻...
兰贵明张正元梅勇
文献传递
应用于柔性电子的超薄硅基芯片研究进展
2023年
柔性电子技术在近些年得到了快速发展,越来越多的柔性电子系统需要柔性、高性能的集成电路来实现数据处理和通信。通过减薄硅基芯片可以获得高性能的柔性集成电路,但是硅基芯片减薄之后的性能有可能发生变化,并且在制备、转移、封装的过程中极易产生缺陷或者破碎,导致芯片性能退化甚至失效。因此,超薄硅基芯片的制备工艺和柔性封装技术对于制备高可靠性的柔性硅基芯片十分关键。在此背景下,文章综述了柔性硅基芯片的力学和电学特性研究进展,介绍了几种超薄硅基芯片的减薄工艺和柔性封装前沿技术,并对超薄硅基芯片在柔性电子领域的应用和发展进行了总结和展望,为柔性硅基芯片技术的进一步研究提供参考。
唐新悦洪敏罗婷陈仙张静张静张培健王鹏
谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法
本发明涉及一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法。该方法在所要局部真空封装区域围成一个厚度为10-20μm、环宽为100-200μm的钛钨/金环,同时进行深槽腐蚀及释放可动部件,利用金属在共晶烧结中的回流来调整表面的...
张正元刘玉奎罗驰胡明雨冯志成郑纯刘建华
文献传递
高压功率半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法,在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构,且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置,各个第二电阻场板结构与其上的第三电...
谭开洲肖添李孝权徐学良王颖江永清王育新李光波王鹏飞裴颖吴健李儒章王志宽邱盛张培健张正元刘玉奎
NH_4^+敏传感器的研制及初步应用被引量:1
2004年
目的 结合平面半导体技术及生物化学原理 ,制作NH+4敏感的尿素传感器 ,并对其检测性能进行评价。方法 采用平面半导体技术制作ISFET ,在栅上固化脲酶得到NH+ 4敏尿素传感器 ,并在ISFET自身稳定性、传感器响应时间、检测范围及保存时间几个方面对该传感器进行评价。结果 ISFET自身性能较稳定 ,传感器响应时间 <60s ,尿素检测范围为 10~ 10 0 0mg L ,保存 7d内该传感器检测性能较稳定。
蒲晓允李招权黄辉邓均张正元李俊
关键词:ISFETNH4^+尿素传感器
共5页<12345>
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