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理论研究4′-甲氧基-3-羟基黄酮的激发态分子内质子转移机制: 2019年; 4′-甲氧基-3-羟基黄酮(4M3HF)具有显著的质子转移特性.本文基于密度泛函理论在甲醇溶液中对4M3HF的激发态分子内质子转移(ESIPT)进行了研究.通过分析4M3HF的前线分子轨道、约化密度梯度函数以及红外振动光谱,发现该分子的氢键相互作用在第一激发态有显著的增强.计算得到的吸收光谱和荧光光谱与实验数据是相吻合的.此外,为了更清楚的描述质子转移的反应路径,4M3HF的势能曲线是被获得.结果表明,4M3HF仅能发生激发态质子转移而不能发生基态质子转移,而反质子转移则发生在基态.; 徐昊浩刘松松张慧周勇宋玉志; 关键词：激发态分子内质子转移氢键势能曲线

NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响被引量：1: 2013年; 以NiFeNb作为坡莫合金薄膜的缓冲层,用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品:(Ni81Fe19)1-xNbx(t)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm),研究了Nb原子含量、缓冲层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值(AMR),用原子力显微镜(AFM)分析样品表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构。结果表明,(Ni81Fe19)0.807Nb0.193缓冲层对提高坡莫合金薄膜AMR值的作用明显大于Ta缓冲层。对于Ni81Fe19厚度为20nm的坡莫合金薄膜,缓冲层中Nb含量为0.193时薄膜的AMR效应及相结构最佳;随着缓冲层厚度的增加,薄膜的AMR效应先增后减,在厚度为4nm时AMR达到最大值;随着基片温度的升高,薄膜的AMR随之增大,在温度为450℃时达到最大值,之后趋于稳定,最大AMR值达到3.76%。; 王存涛王书运高垣梅张慧; 关键词：各向异性磁电阻微结构

涡旋光场在光通信中的应用研究: 2024年; 涡旋光场可以携带任意大小的光子轨道角动量,理论上能够形成无限维的希尔伯特空间。这些轨道角动量模式之间相互正交,可以作为一个新的自由度,成为信息传输的独立通道。通过多个轨道角动量之间的模分复用技术可以提高光通信系统中的通信容量和频谱利用率,因此携带轨道角动量的涡旋光场在大容量自由空间光通信及水下光通信中具有广泛的应用。本文回顾了涡旋光场在自由空间及水下通信中的应用研究,介绍了湍流相位屏模型和自适应光学技术,并对使用自适应光学技术的相位补偿降低自由空间及水下通信中随机介质扰动的研究进行了阐述。; 张慧袁扬胜蔡阳健; 关键词：大气湍流轨道角动量误码率自适应光学光通信

NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响被引量：1: 2013年; 利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta(4nm)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Ta(3nm)系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片温度对其各向异性磁电阻和微结构的影响。利用四探针技术测量薄膜样品的各向异性磁电阻比(AMR),利用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构,用原子力显微镜(AFM)分析样品的表面形貌。结果表明,由于NiO插层的"镜面反射"作用,选择适当厚度的NiO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻比和磁场灵敏度。对于厚度为20nm的Ni81Fe19薄膜,当基片温度为450℃时,通过插入4nm厚的NiO插层可使AMR值达到5.01%,比无NiO插层时提高了40%。; 张慧王书运高垣梅王存涛; 关键词：各向异性磁电阻基片温度

4'-n,n-二甲基氨基-3-羟基黄酮的激发态分子内质子转移机理的研究被引量：1: 2018年; 3-羟基黄酮及其衍生物具有明显的质子转移特性.本文基于密度泛函理论在正庚烷溶液中对4'-n,n-二甲基氨基-3-羟基黄酮(DMA3HF)分子的激发态分子内质子转移动力学进行了研究.通过分析DMA3HF前线分子轨道,约化密度梯度函数以及红外振动光谱,表明该分子在第一激发态分子内氢键有明显加强.计算了DMA3HF分子的两种同分异构体的垂直激发能,并得到了吸收光谱和荧光光谱,结果与实验数据相吻合.此外,为进一步阐明质子转移过程,扫描得到了DMA3HF的势能曲线.结果表明分子在第一激发态发生质子转移所要跃迁的势垒要明显低于基态,并且反质子转移的概率要明显降低.; 张慧刘爽徐昊浩周勇宋玉志; 关键词：激发态分子内质子转移氢键势能曲线

ZnO插层对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响被引量：1: 2013年; 利用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品Ta(4 nm)/ZnO(t)/Ni81Fe19(20 nm)/ZnO(t)/Ta(3nm),研究了ZnO插层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)和微结构的影响。利用四探针法测量薄膜样品的AMR值,利用X射线衍射仪分析样品的微结构。结果表明:由于ZnO插层的"镜面反射"作用,选择适当厚度的ZnO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜AMR值,对于厚度为20 nm的Ni81Fe19薄膜,在基片温度为400℃时,通过插入2 nm厚的ZnO插层使得AMR值较不加插层提高了11%。; 王存涛王书运高垣梅张慧; 关键词：各向异性磁电阻基片温度

NiFeNb缓冲层和NiO插层对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响被引量：1: 2014年; 采用NiFeNb材料为坡莫合金薄膜的缓冲层,利用磁控溅射系统制备了一系列(Ni81Fe19)80.7Nb19.3(x)/NiO(y)/Ni81Fe19(20 nm)/NiO(y)/Nb(3 nm)坡莫合金薄膜样品,研究了(Ni81Fe19)80.7Nb19.3缓冲层厚度、NiO插层厚度和基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值(AMR),用X射线衍射仪分析样品的微结构,用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应实验系统测量不同基片温度下制备的薄膜的磁滞回线。结果表明:(Ni81Fe19)80.7Nb19.3缓冲层及NiO插层都可有效的提高坡莫合金薄膜的AMR值;对于厚度为20 nm的Ni81Fe19坡莫合金薄膜,在NiFeNb缓冲层厚度为2 nm,NiO层厚度为4 nm,基片温度为450℃的条件下,其AMR值最大达到5.25%,比以Ta为缓冲层的薄膜的AMR值提高了60.6%。此时的坡莫合金薄膜出现了较好的(111)织构和大晶粒现象,减少了晶界对传导电子的散射,导致薄膜的AMR值提高。; 王书运张慧高垣梅高铁军姚远; 关键词：各向异性磁电阻

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张慧