您的位置: 专家智库 > >

张化福

作品数:63 被引量:213H指数:11
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:山东省自然科学基金国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 56篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 32篇电子电信
  • 28篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇机械工程
  • 3篇化学工程
  • 2篇天文地球
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 39篇透明导电
  • 36篇导电薄膜
  • 36篇透明导电薄膜
  • 35篇溅射
  • 34篇磁控
  • 32篇磁控溅射
  • 17篇ZNO
  • 11篇光电
  • 11篇衬底
  • 10篇溅射法
  • 8篇ZR
  • 7篇直流磁控
  • 7篇膜厚
  • 7篇溅射功率
  • 6篇英文
  • 6篇光电性
  • 6篇光电性能
  • 6篇薄膜厚度
  • 5篇柔性衬底
  • 5篇溅射法制备

机构

  • 53篇山东理工大学
  • 11篇电子科技大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇西南技术物理...

作者

  • 61篇张化福
  • 44篇刘汉法
  • 26篇类成新
  • 22篇袁长坤
  • 18篇袁玉珍
  • 8篇周爱萍
  • 7篇刘云燕
  • 5篇祁康成
  • 4篇王辉
  • 3篇臧永丽
  • 2篇吴健
  • 2篇刘瑞金
  • 2篇王新峰
  • 2篇苟君
  • 2篇蒋亚东
  • 2篇陈钦生
  • 2篇黎威志
  • 2篇魏功祥
  • 2篇刘俊成
  • 2篇王军

传媒

  • 9篇人工晶体学报
  • 7篇液晶与显示
  • 7篇真空科学与技...
  • 6篇半导体技术
  • 4篇光电子.激光
  • 4篇材料导报
  • 4篇电子元件与材...
  • 3篇太阳能学报
  • 3篇山东理工大学...
  • 2篇光学学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇光散射学报
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇2004中国...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 8篇2012
  • 9篇2011
  • 10篇2010
  • 15篇2009
  • 7篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
63 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
靶与衬底之间的距离对ZnO∶Zr透明导电薄膜性能的影响被引量:1
2010年
利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。并系统地研究了靶与衬底之间的距离对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响。实验结果表明,靶与衬底之间的距离对ZnO∶Zr薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大。实验制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。当靶与衬底之间的距离从60 mm减小到50 mm时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;然而,当距离继续减小时,薄膜的晶化程度降低、晶粒尺寸减小,薄膜的电阻率增大。当靶与衬底之间的距离为50 mm时,薄膜的电阻率达到最小值4.2×10-4Ω.cm,其可见光透过率超过95%。实验制备的ZnO∶Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。
张化福陈钦生刘汉法
关键词:透明导电薄膜磁控溅射
衬底偏压对ZnO:Zr薄膜结构及光电性能的影响
2012年
以Zn:Zr(Zr片贴在金属Zn靶上面)为溅射靶材,利用直流反应磁控溅射法在Ar/O2混合气氛中制备Zr掺杂ZnO(ZnO:Zr)薄膜.在制备ZnO:Zr薄膜时,衬底偏压在0~60V之间变化.研究结果表明,衬底偏压对薄膜的结构、光学及电学性能有很大影响.当衬底偏压从0增大到60V时,薄膜的平均光学透过率和平均折射率都单调增大,而薄膜的晶粒尺寸先增大后减小.ZnO:Zr薄膜电阻率的变化规律与晶粒尺寸相反.
张化福
关键词:反应磁控溅射
随机分布烟幕凝聚粒子对激光的消光特性研究被引量:5
2009年
基于团簇-团簇凝聚(CCA)模型采用蒙特卡罗方法对随机分布的碳黑烟幕凝聚粒子进行了模拟,用离散偶极子近似(DDA)方法研究了该模型对激光的消光特性。研究表明:碳黑烟幕凝聚粒子对激光的消光特性受原始微粒数量及粒径的影响,粒子的凝聚将削弱烟幕的红外消光性能;当凝聚结构中原始微粒的数量一定时,存在使烟幕红外消光性能达到最大的原始微粒粒径。
类成新张化福刘汉法
关键词:烟幕消光系数
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
2007年
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(P-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响,在制备高质量的P-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。
张化福刘汉法祁康成
关键词:PECVD
溅射功率对铝铬共掺杂氧化锌透明导电薄膜特性的影响(英文)被引量:2
2011年
室温下,利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了铝铬共掺杂氧化锌薄膜,研究了溅射功率(55-130 W)对薄膜结构、残余应力、表面形貌及其光电性能的影响。结果表明,ZnO(002)衍射峰的强度随着溅射功率的增大而增强,晶体结构得以改善。晶格常数、压应力和电阻率均随着溅射功率的增大而减小。当溅射功率为130 W时,制备的ZnO∶Al,Cr薄膜的最低电阻率可达1.09×10-3Ω.cm。功率由55 W增大到130 W时,光学带隙由3.39 eV增大到3.45 eV。紫外-可见透射光谱表明,所有薄膜在可见光范围内平均透过率均超过89%。
周爱萍张化福刘汉法
关键词:溅射功率磁控溅射
薄膜厚度对TGZO透明导电薄膜光电性能的影响被引量:7
2011年
利用直流磁控溅射法,在室温水冷玻璃衬底上成功制备出了可见光透过率高、电阻率低的钛镓共掺杂氧化锌(TG-ZO)透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜研究结果表明,TGZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。研究了厚度对TGZO透明导电薄膜电学和光学性能的影响,结果表明厚度对薄膜的光电性能有重要影响。当薄膜厚度为628 nm时,薄膜具有最小电阻率2.01×10-4Ω.cm。所制备薄膜在波长为400~760 nm的可见光中平均透过率都超过了91%,TGZO薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。
刘汉法张化福王振环
关键词:透明导电薄膜磁控溅射厚度
Zn_(0.9)Mg_(0.1)O∶Ti透明导电薄膜的制备及研究
2012年
采用磁控溅射法在不同的溅射压强下制备了ZnMgO∶Ti透明导电薄膜。着重研究了溅射压强对ZnMgO∶Ti薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响。结果表明:当溅射功率为80W时,电阻率随着溅射压强的增加先减小后增加,在12 Pa时达到最小值1.9×10-3Ω.cm。薄膜结晶程度、晶粒的均匀性及致密性对电阻率有较大影响。所有条件下制备的薄膜在400~900 nm范围内的透射率均超过90%。相对于6 Pa下沉积的薄膜,在9 Pa和12 Pa下沉积薄膜的光学吸收边界出现"蓝移"现象。用ZnMgO∶Ti透明导电薄膜作透明电极有可能提高太阳能电池的效率。
孙艳王晓晨周爱萍刘汉法张化福
关键词:透明导电薄膜磁控溅射溅射压强透光率
激光在随机分布烟尘团簇粒子中的衰减特性被引量:7
2010年
基于分形理论,采用团簇—团簇凝聚模型对随机分布烟尘团簇粒子的分形结构进行了模拟.利用离散偶极子近似方法研究了不同类型的随机分布烟尘团簇粒子的单次散射特性.利用蒙特卡罗方法研究了激光信号在随机分布烟尘团簇粒子中的传输衰减特性.讨论了入射角、激光波长、烟尘粒子数密度以及组成单个烟尘团簇粒子的原始微粒粒径和数目等参量对激光衰减特性的影响.研究结果对激光在复杂随机介质中的传输衰减特性分析提供了理论依据.
类成新吴振森张化福刘汉法
关键词:蒙特卡罗方法
ZnAl_2O_4:Mn纳米晶的红-绿发光被引量:2
2012年
利用溶胶-凝胶法制备了掺杂1.5%锰离子的ZnAl2O4晶体,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)以及荧光光谱仪对样品的结构和光致发光(PL)性能进行测试分析。结果表明,随着烧结温度的升高,晶体的X射线衍射峰逐渐增强,晶体结构得以改善。当受到427nm的激光源激发时,晶体会发射出峰值为512nm的绿光和680nm的红光。绿光是由Mn2+的4 T1→6 A1跃迁引起的,而红光是源于4价锰离子。在还原气氛下,烧结温度由600℃上升到900℃时,红光发射峰强度降低并继而消失,而绿光发射峰的强度逐渐增强。
周爱萍张化福臧永丽
关键词:溶胶-凝胶法光致发光
太阳电池用共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构及性能被引量:4
2011年
采用直流磁控溅射法在室温条件下制备出Al,压共掺杂ZnO透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜的组织结构和表面形貌,着重分析了靶基距对薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明,制备的灿,乙共掺杂ZnO透明导电薄膜为具有C轴择优取向、六角纤锌矿结构的多晶薄膜。靶基距对Al,Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构和电阻率影响显著。薄膜的厚度随靶基距的增加而变薄,在靶基距为60mm时,制备的薄膜厚度为790nm,电阻率具有最小值1.05×10^-3Ω·cm,在可见光区(500—800nm)平均透过率超过92%,在硅基薄膜太阳电池中具有良好的应用前景。
王辉袁玉珍刘汉法张化福刘云燕刘俊成
关键词:AL透明导电薄膜磁控溅射太阳电池
共7页<1234567>
聚类工具0