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张伟

作品数：4 被引量：10H指数：2
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇衬底
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶薄膜
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化硅
  • 1篇时效
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米SI
  • 1篇纳米硅
  • 1篇禁带
  • 1篇抗菌
  • 1篇抗菌性
  • 1篇宽禁带
  • 1篇硅衬底
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇半导体薄膜技...
  • 1篇薄膜生长

机构

  • 4篇浙江大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 4篇张伟
  • 3篇张仕国
  • 2篇袁骏
  • 1篇樊瑞新
  • 1篇李宁

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
AIN薄膜的研究进展被引量：6
1996年
ＡＩＮ是一种重要的近紫外、蓝光半导体材料。本文就ＡＩＮ的物理特性，薄膜生长，性能测试分析的研究进展作一些阐述。对ＡＩＮ在制作发光器件、固溶体合金。
张伟张仕国
关键词：氮化铝宽禁带半导体薄膜生长
衬底温度对纳米Si-SiO_x薄膜的结构和组分的影响被引量：1
1998年
本文报道用真空蒸发制备含氧硅薄膜的技术，研究了衬底温度对薄膜结构和组分的影响．实验发现在真空为５×１０－３Ｐａ、衬底温度在２８０～４８０℃范围内，随着温度的提高，薄膜由非晶、转化为纳米晶体、再转化为多晶，氧含量也随着温度的提高而增加。
张仕国张伟袁骏樊瑞新
关键词：纳米硅衬底氧化硅半导体薄膜技术
高含铜马氏体不锈钢抗菌性能研究
本文研究了高含铜马氏体不锈钢的力学性能,微观组织和抗菌性能。研究结果表明:时效可显著提高高含铜马氏体不锈钢的力学性能。经SEM和X-Ray衍射分析,发现时效后高含铜马氏体不锈钢有大量ε-Cu相析出。菌液滴定表明18-8不...
李宁文玉华张伟曾蔚邝玉贾文祥
关键词：抗菌性不锈钢时效
文献传递
Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜被引量：3
1997年
本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表明，薄膜只在2θ=58．9°处出现一个衍射峰，其生长晶面为（1120），是AlN的解理面．在较高的生长温度下，生长速率较低，得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽（0．5°）、Al和N更趋向于化学计量比结合．从扫描电镜测试看出，薄膜表面平整光滑、无裂纹，说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良．最后，NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论．
张伟张仕国袁骏
关键词：半导体硅衬底AIN单晶薄膜
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