廖仕坤
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 用红外透射法确定任意厚度下磅镉汞晶体的组分
- 选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。取透射比为5℅对应的波长值，结合理论计算，得到了用红外透...
- 杨彦廖仕坤刘新进李玉德
- 关键词：晶体碲镉汞
- 霍尔自动测试系统及使用C++Builder开发霍尔自动测试软件 被引量：1
- 2002年
- 论述了为大批量检测半导体晶片的霍尔系数、电阻率、载流子浓度和迁移率等电学参数而组建的由三台Ｋｅｉｔｈｌｅｙ公司的带ＧＰＩＢ接口仪器和一套Ｏｘｆｏｒｄ公司的带ＲＳ－２３２接口仪器组成的霍尔自动测试系统；使用Ｂｏｒｌａｎｄ公司的可视化快速应用程序开发工具Ｃ＋＋Ｂｕｉｌｄｅｒ开发了霍尔自动测试软件，该软件具有典型Ｗｉｎｄｏｗｓ程序那样的全中文图形用户界面、菜单驱动的集成工作环境和完整的ｄＢＡＳＥ数据库管理功能；使用ＡｃｔｉｖｅＸ自动化技术实现了在Ｃ＋＋Ｂｕｉｌｄｅｒ中对只能使用ＯｂｊｅｃｔＢｅｎｃｈ ＢＡＳＩＣ编程控制的Ｏｘｆｏｒｄ公司的带ＲＳ－２３２接口仪器的控制．
- 廖仕坤
- 关键词：C++BUILDERACTIVEX自动化数据库软件开发半导体晶片
- Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除
- 2002年
- 极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 。
- 刘翔吴长树张鹏翔赵德锐陈庭金廖仕坤杨家明
- 关键词：极性半导体反相畴
- 用红外透射法确定任意厚度下碲镉汞晶体的组分
- 选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。取透射比为5℅对应的波长值，结合理论计算，得到了用红外透...
- 杨彦廖仕坤刘新进李玉德
- 关键词：碲镉汞晶体
- 碲镉汞霍耳系数与电阻率测试条件的选择
- 廖仕坤
- 关键词：红外晶体电阻率碲汞
- 两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较被引量：1
- 2002年
- 报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好 ;(2 )采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜 ,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础 ;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响 ,(2 11)面外延的GaAs薄膜质量最好 ,(10 0 )面次之 ,(111)
- 刘翔吴长树张鹏翔角忠华赵德锐陈庭金廖仕坤杨家明
- 关键词：GAAS/SI
- 用红外透射法确定任意厚度下磅镉汞晶体的组分
- 该文选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。取透射比为5％对应的波长值，结合理论计算，得到了用红...
- 李玉德刘新进廖仕坤杨彦
- 关键词：碲镉汞晶体
- 文献传递
- HgCdTe晶片杂质浓度的检测
- 1994年
- 采用红外透射法测ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片的组分ｘ．范德堡法测晶片的载流子浓度ｎ０。用实测值ｘ和ｎ０计算出在相同低温热处理条件下不同组分（０．１９０＜ｘ＜０．２３０）的ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片７７Ｋ时本征浓度ｎｉ和杂质浓度ｎｄ．得到比值ｎｄ／ｎｉ与组分ｘ的关系曲线。对此曲线分析可知，７７Ｋ时ＨｇＣｄＴｅ（０．１９０＜Ｘ＜０２３０）并不处于杂质电离饱和区，而是处于过渡区，故不可以将霍耳系数Ｒ确定的载流于浓度ｎ０视为杂质浓度ｎｄ。
- 杨彦廖仕坤宋炳文刘新进
- 关键词：碲镉汞
- 霍尔自动测试系统及使用C++Builder开发霍尔自动测试软件
- 本文论述了为大批量检测时导体晶片的霍尔系数、电阻率、载流子浓度和迁移率等电学参数而组建的由三台Keithley公司的带GPIB接口仪器和一套Oxford公司的带RS-232接口仪器组成的霍尔自动测试系统;使用Borlan...
- 廖仕坤
- 关键词：数据库半导体晶片电学参数
- 文献传递
- HgCdTe的反常高电子迁移率
- 1997年
- 文中报道了碲镉汞的反常高电子迁移率。变磁霍尔测量和小光点扫描红外透射测量结果表明，反常高电子迁移率碲镉汞样品中存在导电非均匀性，这种导电非均匀性是横向组分严重偏析形成的负径向电子浓度梯度（电子浓度从晶片中心向周边减小）造成的。负径向电子浓度梯度的导电非均匀性使HgCdTe电子迁移率的测量值反常地高。
- 廖仕坤杨彦刘新进
- 关键词：碲镉汞高电子迁移率红外光学材料
