姚淑华
- 作品数：46 被引量：20H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文)被引量：1
- 2008年
- 在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%。利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性?n=7.250×10-5 cm-1。
- 吴剑波姚淑华夏宗仁秦小勇高磊刘宏王继扬
- 关键词：铌酸锂近化学计量比提拉法
- 成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法
- 本发明涉及一种成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法，属于无机材料制备领域。该法将铌源原料在含羧酸基的有机溶剂均匀混合，形成含铌配合物，通过热重分析的方法计算出铌的准确量，再加入的Li<Sup>+</Sup>，MgO...
- 王继扬姚淑华刘宏郑斐斐颜涛
- 文献传递
- 掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长(英文)被引量：3
- 2007年
- 用改进的提拉技术从富锂[摩尔比n(Li2O)/n(Nb2O5)=58.5/41.5]熔体中生长了φ40mm×60mm的掺镁近化学计量比铌酸锂(LiNbO3)晶体。利用X荧光光谱分析了晶体中铌离子(Nb5+)和镁离子(Mg2+)的含量。通过紫外吸收和红外吸收峰研究了晶体中缺陷的结构,初步断定晶体中Mg2+的掺杂浓度已达到抗光伤阈值的浓度。生长晶体的比热容[0.69J/(g.K)]高于同成分LiNbO3晶体的比热容[0.64J/(g.K)]。
- 姚淑华王继扬刘宏胡小波张怀金吴剑波秦晓勇
- 关键词：近化学计量比提拉法
- 近化学计量比铌酸锂晶体的生长及性质研究
- 铌酸锂晶体是一种集非线性、电光、压电、光弹、光折变、自倍频等功能于一体的功能晶体。由于能用提拉法生长出大尺寸同成分组分铌酸锂晶体,而且易加工,因此,铌酸锂晶体是一种有广泛应用前景的重要功能材料。化学计量比铌酸锂晶体近年来...
- 姚淑华
- 关键词：铌酸锂近化学计量比铌酸锂晶体晶体生长
- 一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其生长方法和应用
- 本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提...
- 姚淑华张航飞吕洋洋曹琳陈延彬陈延峰
- 文献传递
- 体块氧化锌单晶生长的研究进展被引量：2
- 2009年
- 氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管。综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZnO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理。介绍了体块ZnO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响。
- 张素芳姚淑华王继扬宋伟
- 关键词：水热法助熔剂法
- 一种磁性过渡金属硫族化合物材料Fe<Sub>x</Sub>Mn<Sub>y</Sub>TaS<Sub>2</Sub>晶体及其制备方法
- 本发明公开了一种新型层状磁性过渡金属硫族化合物材料Fe<Sub>x</Sub>Mn<Sub>y</Sub>TaS<Sub>2</Sub>晶体及其制备方法，其中0<x<0.25，0<y<0.25。本...
- 吕洋洋骆叶成曹琳陈延彬姚淑华周健陈延峰
- 成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法
- 本发明涉及一种成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法，属于无机材料制备领域。该法将铌源原料在含羧酸基的有机溶剂均匀混合，形成含铌配合物，通过热重分析的方法计算出铌的准确量，再加入的Li<Sup>+</Sup>，MgO...
- 王继扬姚淑华刘宏郑斐斐颜涛
- 文献传递
- 一种定量控制Sr<Sub>2</Sub>FeMoO<Sub>6</Sub>陶瓷B位反位缺陷浓度的方法
- 本发明公开了一种定量控制Sr<Sub>2</Sub>FeMoO<Sub>6</Sub>陶瓷B位反位缺陷浓度的方法，本发明的方法使用SrCO<Sub>3</Sub>、Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和...
- 王金凤张善涛周健顾正彬陈延彬姚淑华陈延峰
- 文献传递
- 一种具有巨大磁电阻的HfTe<Sub>5‑δ </Sub>晶体及其生长方法
- 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe<Sub>5‑δ</Sub>晶体及其生长方法。本发明的HfTe<Sub>5‑δ</Sub>晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时...
- 姚淑华吕洋洋李啸陈延彬周健陈延峰
