姚永昭
- 作品数：14 被引量：5H指数：1
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 硅基垂直腔面光发射器件的研制
- 2005年
- 为了实现与现有集成电路工艺兼容的全硅基发光器件,提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅(或非晶氮化硅)/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为分布式Bragg反射器(DBR),以夹在上下两个Bragg反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响。最后研制出光致红光发射器件和电致蓝绿光发射器件,并给出了它们的光致和电致发光谱。结果显示了在光致和电致激发下非晶碳化硅的发光和DBR对光谱的限制增强作用。
- 姚永昭岳瑞峰刘理天
- 关键词：微电子学PECVD
- 室温电致发光硅基法布里－珀罗微腔器件
- 本发明涉及一种室温电致发光硅基法布里－珀罗微腔器件，属于硅基光电子器件领域，包括采用透明材料作为衬底；在该透明衬底上由周期性淀积的两种高、低折射率材料薄膜相间隔组成的布拉格反射器；在该布拉格反射器之上淀积硅基电致发光层；...
- 岳瑞峰姚永昭但亚平刘理天
- 文献传递
- 室温发光硅基法布里－珀罗(F－P)微腔器件
- 室温发光硅基法布里－玻罗微腔器件属于硅基光电子器件领域，其特征在于它含有两个由a－Si∶H薄膜和a－SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>∶H薄膜交替生长制备的a－Si∶H/a－SiO<Sub>x</S...
- 岳瑞峰王燕但亚平刘理天姚永昭
- 文献传递
- 硅基垂直腔面光发射器件的设计与实现
- 2004年
- 提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响。根据设计制作了光致红光发射器件并测量分析了它的光致发光谱。
- 姚永昭岳瑞峰刘理天
- 关键词：布拉格反射器
- 室温发光硅基法布里－珀罗(F－P)微腔器件
- 室温发光硅基法布里-珀罗微腔器件属于硅基光电子器件领域，其特征在于它含有两个由a-Si∶H薄膜和a-SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>∶H薄膜交替生长制备的a-Si∶H/a-SiO<Sub>x</S...
- 岳瑞峰王燕但亚平刘理天姚永昭
- 文献传递
- a-SiC_x:Hp-i结的电致发光
- 2006年
- 在以ITO薄膜为正极的透明导电玻璃上,利用PECVD方法进行B掺杂制备出具有p-i结的a-SiCx:H薄膜,然后在其上溅Al作为负电极形成“三明治”器件结构,并对它的I-V特性和发光特性进行了研究。结果表明,器件具有整流效应,正反向电压分别为8 V和12 V;在正向电压高于8 V时,观测到了电致发光。最后,根据我们提出的能带模型很好地解释了实验结果。
- 岳瑞峰姚永昭刘理天
- 关键词：PECVD电致发光
- 基于PECVD工艺的硅基光致和电致发光器件研制
- 为实现超大规模集成电路和微机电系统(MEMS)中的光电集成，硅基发光器件的实现至关重要。由于硅是一种间接禁带半导体，使硅基器件高效发光已经成为一个很大的难题，是否能实现与现有IC工艺兼容、低成本、可实用的硅基发光器件直接...
- 姚永昭
- 文献传递
- 硅基法布里-珀罗微腔的红光发射
- 2003年
- 以PECVD为制备工艺，a—SiO2：H／a—Si：H为分布式布拉格反射镜的多层膜，a—SiCx：H为中间腔体发光材料，制备出垂直腔面的发光微腔，根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序，并在250C下制备出了这种微腔，将微腔样品分别在不同温度下进行退火，对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究。结果表明，微腔能激射出波长为743nm，半高宽为9nm的光，在350C退火后发光性能进一步提高，而450C退火后，性能恶化。
- 但亚平姚永昭王燕岳瑞峰刘理天
- 关键词：微腔布拉格反射镜PECVD退火
- 一种新型硅基垂直腔面光发射器件的设计与模拟
- 本文提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构.它采用等离子增强化学汽相沉积(PECVD)方法制备的非晶硅(或非晶氮化硅)/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅...
- 姚永昭岳瑞峰刘理天
- 关键词：布拉格反射器PECVD
- 文献传递
- 基于PECVD工艺的a-SiC_x∶H发光微腔的研究
- 2004年
- 以 PECVD为制备工艺 ,a-Si O2 ∶ H/a-Si∶ H为布拉格反射镜多层膜 ,a-Si Cx∶ H为中间腔体发光材料 ,制备垂直腔面的发光微腔。文章通过模拟确定了微腔的多层膜层数和排列顺序 ,并对微腔的发光特性进行了反射谱和荧光谱研究。结果表明 ,该微腔性能良好 ,能激射出半高宽为 9nm、波长为 743 nm的荧光峰 ,与设计值70 0 nm基本吻合。
- 但亚平姚永昭王燕岳瑞峰刘理天
- 关键词：布拉格反射镜
