商丽燕
- 作品数：22 被引量：5H指数：1
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程机械工程更多>>
- In0．53 Ga0．47As／In0．52Al0．48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
- 2008年
- 研究了不同沟道厚度的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关.
- 商丽燕林铁周文政黄志明李东临高宏玲崔利杰曾一平郭少令褚君浩
- 关键词：二维电子气
- 两个子带占据的In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中填充因子的变化规律被引量：1
- 2008年
- 研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE21=kωc(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE21=(2k+1)ωc/2,填充因子出现奇数.
- 商丽燕林铁周文政郭少令李东临高宏玲崔利杰曾一平褚君浩
- 关键词：填充因子磁输运
- 基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关制备方法
- 本发明公开了一种基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关及制备方法，所述的射频开关包括衬底，一层相变材料层，一层加热元件层，一层隔热层，一层钝化层和一层射频传输层。处于相变材料层之下的加热元件先向外横向延伸后利用硅通孔技...
- 胡志高李明周鑫李树兵侯张晨王林崔安阳张金中姜凯商丽燕李亚巍褚君浩
- 窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究
- 2006年
- 通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化.而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂.从对拍频的分析中,可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.
- 朱博桂永胜周文政商丽燕仇志军郭少令张福甲褚君浩
- 关键词：拍频
- 一种嵌入式间接加热型Ge-Sb-Te基相变射频开关及其制备方法
- 本发明公开了一种嵌入式间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关的加热电极嵌入衬底上表面，后依次沉积隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中G...
- 胡志高李明周鑫李树兵侯张晨王林张金中姜凯商丽燕李亚巍褚君浩
- 使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统和测量方法
- 本发明设计了一种使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统和测量方法，可用于精确测量低温强磁场下材料的电学输运相关的性质，如测量磁阻震荡、霍尔效应等。系统主要包括：标准霍尔板样品、低温杜瓦及温控装置、磁体及磁控装置、1号锁相...
- 褚君浩孙雷俞国林周远明高矿红林铁周文政商丽燕
- 文献传递
- Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应被引量：1
- 2006年
- 通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.
- 朱博桂永胜周文政商丽燕郭少令褚君浩吕捷唐宁沈波张福甲
- 关键词：二维电子气磁阻
- 氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法
- 本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化...
- 胡志高杨家轩敖丽媛杜绅宇张金中姜凯商丽燕李亚巍褚君浩
- 文献传递
- 一种间接加热型Ge-Sb-Te基相变射频开关及其制备方法
- 本发明公开了一种间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关采用四层加工工艺。由下往上分别为加热层、隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge...
- 胡志高李明周鑫李树兵张金中姜凯商丽燕李亚巍褚君浩
- 氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法
- 本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化...
- 胡志高杨家轩敖丽媛杜绅宇张金中姜凯商丽燕李亚巍褚君浩
