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冯真

作品数:5 被引量:14H指数:2
供职机构:西南科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇等离子体化学...
  • 2篇电极
  • 2篇微波等离子体
  • 2篇微波等离子体...
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇红外透过率
  • 2篇伏安法
  • 2篇BDD电极
  • 2篇差分脉冲
  • 2篇差分脉冲伏安...
  • 1篇单晶金刚石
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学检测
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇硼烷
  • 1篇微观结构
  • 1篇离子
  • 1篇膜结构

机构

  • 5篇西南科技大学

作者

  • 5篇冯真
  • 4篇王兵
  • 4篇熊鹰
  • 2篇许立
  • 1篇刘兴龙

传媒

  • 2篇稀有金属
  • 1篇现代化工
  • 1篇武汉理工大学...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 3篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
高质量光学级金刚石膜制备研究
本文采用自行研制的功率为10kW、频率为2.45GHz的不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置,以单面抛光的P型(100)取向的单晶硅片为衬底、在H2-CH4-CO2的反应气源中沉积光学级金刚石膜。通过...
冯真
关键词:金刚石膜微波等离子体化学气相沉积红外透过率
文献传递
反应气源中硼碳比对BDD电极电化学检测Cr^(6+)的影响
2014年
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)以氢气和甲烷为生长源、硼烷作掺杂源,在不同硼碳比(B/C)下制备不同硼含量的掺硼金刚石(BDD)薄膜电极,通过扫描电镜、拉曼光谱对其表面形貌、组成及结晶质量进行对比分析。依次将不同B/C下制备的BDD电极作为工作电极,通过差分脉冲伏安法检测溶液中痕量Cr6+浓度。结果表明,随着B/C增大,BDD电极膜材中金刚石晶粒间密实度下降,晶粒完整度变差;电极电化学检测Cr6+信号随反应气源中B/C增大而增大,当B/C=0.006时信号最强,电极检测限可达12ppb。加入干扰离子后检测效果依然良好。但B/C继续增大检测信号会随之降低。B/C在0.004~0.01范围内制备的BDD电极具有相对较好的电化学检测Cr6+性能。
刘学维王兵熊鹰冯真廖健淞韩汶洪
关键词:BDD电极差分脉冲伏安法
BDD电极差分脉冲伏安法检测Cr(Ⅵ)离子被引量:1
2014年
以氢气和甲烷为生长源,硼烷作掺杂源,采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备掺硼金刚石(BDD)薄膜电极,通过扫描电镜、拉曼光谱对其表面形貌、组成及结晶质量进行分析.将BDD电极作为工作电极,通过差分脉冲阳极溶出伏安法检测溶液中痕量Cr(Ⅵ)浓度.结果表明,BDD电极膜材中金刚石晶粒间密实均匀.而电极差分脉冲吸附溶出伏安法检测Cr(Ⅵ)信号在0.19×10-3 ~3.85×10-3 mol/L范围内呈线性关系,电极检测限达到0.27×10-6mol/L.加入干扰离子后检测效果依然良好.最后,通过实验表明电极在pH =2时检测Cr(Ⅵ)效果较好.
刘学维王兵熊鹰冯真许立刘兴龙
关键词:BDD电极差分脉冲伏安法
二氧化碳对MPCVD金刚石光学膜结构及红外透过率的影响被引量:5
2015年
以P型(100)取向的单晶硅片为衬底,采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,通过在反应气源中添加不同比例的CO2制备光学级金刚石膜。通过Raman光谱、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征金刚石膜的结晶质量、晶粒取向和表面形貌。结果表明:增加反应气源中CO2/CH4流量比,在不改变金刚石膜物相纯度的情况下,有利于提高金刚石薄膜的结晶质量;适量的CO2/CH4流量比有利于获得晶粒形貌规则、完整且尺寸均匀的高[111]取向的金刚石膜。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)(红外光透过率)测试发现晶界密度小、晶粒尺寸均匀、形貌规则且表面平整的自支撑金刚石膜具有更高的红外(IR)透过率,表明在反应气源中适量地引入CO2有利于提高金刚石膜的光学性能,这可能与CO2引入后产生的含氧基团能抑制非金刚石相,促进取向金刚石相的生长有关;在微波功率6 k W、气压13 k Pa、基片温度850℃、CH4流量为15 ml·min-1(标准状况)的条件下,CO2/CH4流量比为0.45时可制备出具有高质量和高红外透过率的金刚石光学膜。
冯真熊鹰王兵刘学维廖健淞许立
关键词:金刚石膜红外透过率微波等离子体化学气相沉积
硼掺杂对单晶金刚石薄膜结构及生长的影响被引量:7
2018年
采用自制的环形谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备,在其他工艺参数不变的情况下,通过改变反应气中掺杂源硼烷的浓度,制备不同掺硼量的外延单晶金刚石薄膜。通过激光拉曼光谱(Raman)、激光荧光发射光谱(PL)以及X射线衍射(XRD)摇摆曲线等测试手段对外延金刚石薄膜的微观结构进行分析,结果表明,在325 nm波长的激光激发下,外延金刚石薄膜在524 nm处产生了与硼相关的荧光峰位,且随气源中硼烷浓度增加,荧光峰(524 nm)峰强增大,拉曼特征峰和XRD摇摆曲线特征峰半高宽(FWHM)都呈增加趋势,说明随着硼烷浓度增加,金刚石薄膜中硼含量增加,晶体结构的完整性逐渐降低,外延薄膜的质量变差。通过光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)对外延单晶金刚石薄膜的表面生长形貌进行分析,结果表明,随着气源中硼烷浓度增加,薄膜表面的台阶流生长模式没改变,但台阶流的台阶数量逐渐减少,台面宽度台面高度逐渐增加,说明随着硼烷浓度增加,台阶流生长状态改变。因此,硼掺杂变化将导致外延单晶金刚石膜的结构及生长特征发生显著改变。
陈孟杰李海宁王兵熊鹰冯真程永朋
关键词:微观结构
共1页<1>
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