侯旭峰
- 作品数：6 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺更多>>
- ZnO纳米棒/薄膜结构的电沉积制备及性能被引量：4
- 2007年
- 以阳离子表面活性剂——十六烷三甲基氯化铵(CTAC)作为添加剂,采用电沉积法在氧化铟锡玻璃基板上制备了ZnO薄膜。并研究了CTAC含量对阴极电流密度、结构、表面形貌、化学态和光学性能的影响。实验发现阴极电流密度和(002)择优取向随CTAC含量的增加而增加。电沉积氧化锌薄膜的表面形貌随CTAC含量的增加由小晶粒变为纳米棒,这表明CTAC在控制表面形貌方面有很重要的作用。X-射线光电子能谱表明Zn2p3/2,Zn2p1/2,O1s的峰位分别为1020.78eV、1046.88eV和530.8eV。CTAC对电沉积的影响可能是由于CTAC的吸附作用改变了不同晶面的表面能和生长动力学。此外,研究了ZnO薄膜的光学性能,结果表明当CTAC含量为3.0mmol/L时,薄膜具有较好的透光性和紫外发射性能。添加不同含量CTAC的ZnO薄膜禁带宽度介于3.27～3.52eV。
- 侯旭峰荆海张会平
- 关键词：ZNO电沉积光致发光
- 电化学沉积ZnO薄膜的微观结构与性能
- 本文采用电化学沉积法，以65±1℃的0.1M Zn(NO3)2水溶液作为电解液，在氧化钢锡(ITO)玻璃基板上制备了ZnO薄膜。电化学分析表明，电解液温度和阴极电势的升高有利于ZnO薄膜的形成。阴极电势的升高会降低ZnO...
- 侯旭峰
- 关键词：电化学沉积ZNO薄膜禁带宽度
- 高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究被引量：6
- 2007年
- 利用电化学沉积法,以65±1℃的0.1mol/LZn(NO3)2水溶液作为电解质溶液,在方块电阻为118Ω/□的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备了ZnO薄膜。利用扫描电镜观察了ZnO薄膜表面形貌,结果表明随着电极电势的降低或沉积时间的增加,ZnO薄膜表面颗粒的六方形结构逐渐明显。利用X射线衍射技术分析了阴极电势和沉积时间对ZnO薄膜择优取向的影响,结果表明ZnO薄膜的(002)择优取向是随电极电势的下降而逐渐减弱的,而且随沉积时间的增加(002)择优取向也逐渐减弱。透射光谱测量表明,实验所获得的ZnO薄膜在可见光范围内是透光的,平均透过率高达80%～90%,不同阴极电势下的禁带宽度均为3.5eV左右,且在阴极电势为-2.5V时,禁带宽度随沉积时间的增加而逐渐减小。
- 侯旭峰荆海谷长栋张会平
- 关键词：ZNO薄膜电化学沉积禁带宽度
- 薄膜晶体管液晶显示器制造方法
- 一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display TFT-LCD)的制造。提供一玻璃基板，在基板表面形成第一层金属层...
- 邵喜斌林鸿涛于春崎王丽娟郭睿侯旭峰汪梅林
- 文献传递
- 玻璃表面化学镀纳米铜膜被引量：4
- 2007年
- 利用化学镀铜工艺，以十二烷基苯磺酸钠（SDBS）作为镀液添加剂，在未经刻蚀的玻璃表面制备了纳米铜膜。采用FESEM、SEM和XRD等技术对铜膜表面、断面形貌及晶体结构进行了表征。结果表明，铜膜内团簇尺寸非常细小，晶粒尺寸约为15．5～28．3nm，且存在较强的〈111〉织构。采用四探针法测量铜膜的电阻率，并讨论了电阻率随沉积时间增加而逐渐下降的原因。
- 张会平江中浩刘先黎连建设侯旭峰李光玉
- 关键词：材料表面与界面化学镀电阻率
- 薄膜晶体管液晶显示器制造方法
- 一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display TFT－LCD)的制造。提供一玻璃基板，在基板表面形成第一层金属层...
- 邵喜斌林鸿涛于春崎王丽娟郭睿侯旭峰汪梅林
- 文献传递
