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亓鹏

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室更多>>
发文基金：四川省应用基础研究计划项目四川省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇电极
  • 1篇修饰
  • 1篇修饰电极
  • 1篇原位生长
  • 1篇原位生长碳纳...
  • 1篇直流
  • 1篇直流电
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇化学修饰
  • 1篇化学修饰电极
  • 1篇镍

机构

  • 1篇西南交通大学

作者

  • 1篇杨荣
  • 1篇赵斐
  • 1篇何正文
  • 1篇江奇
  • 1篇袁华
  • 1篇亓鹏
  • 1篇赵勇

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
直流电电化学沉积镍制备原位生长碳纳米管化学修饰电极被引量：3
2010年
利用直流电电化学沉积法将生长碳纳米管(CNT)的催化剂镍均匀地附着在石墨电极(GE)表面,再通过化学气相沉积法制备得到原位生长碳纳米管化学修饰电极(GSCNT-CME).电化学沉积的金属镍和所制备的修饰电极分别用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱(EDX)进行表征,所得修饰电极的电化学性能用[Fe(CN)6]3-/[Fe(CN)6]4-溶液进行表征.结果表明:经直流电电化学沉积,可以在石墨电极表面沉积一层致密的金属镍,能生长出管径均匀的碳纳米管,所制得的修饰电极具有良好的电化学响应灵敏性和准确性,可在电化学检测领域发挥重要的应用.
何正文江奇杨荣亓鹏赵斐袁华赵勇
关键词：电化学沉积原位生长
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共1页<1>
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