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丁啸雄

作品数:3 被引量:4H指数:2
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:江苏省科技成果转化专项资金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇氮掺杂
  • 3篇溅射
  • 3篇掺杂
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇氧化锡
  • 1篇制取
  • 1篇制取工艺
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇二氧化锡

机构

  • 3篇东南大学

作者

  • 3篇丁啸雄
  • 2篇蒋建清
  • 2篇方峰
  • 1篇张旭海

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
磁控溅射法制备氮掺杂二氧化锡薄膜及其性能评价
二氧化锡薄膜具有透明导电的特性,因而被制成透明电极而广泛应用于平板显示器和太阳能电池中。研究表明,经掺杂的薄膜具有更优异的光电性能和稳定性能,然而传统的掺杂元素Sb和F较为昂贵且有毒性,因此,掺氮将有望解决上述问题。  ...
丁啸雄
关键词:磁控溅射法光学性能
氮掺杂对SnO2薄膜光电性能的影响被引量:2
2012年
SnO2薄膜具有透明导电的特性,因而被制成透明电极而广泛应用于平板显示器和太阳能电池中。研究表明,经掺杂的薄膜具有更优异的光电性能,然而传统的掺杂元素Sb,Te或F较为昂贵且有毒性,因此,掺氮将有望解决上述问题。本文利用反应射频磁控溅射法制备出不同氧含量的SnO2以及氮掺杂SnO2薄膜,并分析了薄膜的形貌结构及光电性能。结果表明:薄膜沉积过程中氧分压和氮掺杂对薄膜性能影响较大。在SnO2薄膜中,晶粒呈包状形态,随着氧分压的增加,晶粒取向从(101)转向(110)方向,晶粒尺寸逐渐变小,可见光透光率提升到80%以上,光学带隙增加到4.05 eV;在氮掺杂SnO2薄膜中,晶粒呈四棱锥形态,晶粒取向为(101)方向,随着氧分压的增加,可见光的透过率同样提升到80%以上,光学带隙增加到3.99 eV。SnO2薄膜和氮掺杂SnO2薄膜的电阻率最低分别达到1.5×10-1和4.8×10-3Ω.cm。
丁啸雄方峰蒋建清
关键词:SNO2薄膜氮掺杂光电性能磁控溅射
一种氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法
本发明公开了一种氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法,以磁控溅射法制备二氧化锡薄膜,磁控溅射时,按体积比O<Sub>2</Sub>∶N<Sub>2</Sub>=(1~6)∶(99~94)的比例通入O<Sub>2</Sub>和N<...
方峰蒋建清张旭海丁啸雄
文献传递
共1页<1>
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