默江辉
- 作品数：78 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术农业科学一般工业技术更多>>
- 适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法及碳化硅功率器件
- 本发明提供了一种适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法及碳化硅功率器件，属于半导体器件制作技术领域，包括以下步骤：清洗碳化硅圆片；光刻定义欧姆接触区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属依次为镍、钨，或者为，镍、铌；...
- 谭永亮张力江默江辉杨中月李亮
- 文献传递
- 一种微波器件测试用压紧装置
- 本实用新型公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本实用新型能...
- 默江辉杨中月李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- 平坦化技术在微波功率SiC MESFET工艺中的应用
- 本文以微波SiC MESFET为例，首先要4H半绝缘SiC衬底片上外延一层缓冲层，用来减少衬底对SiC MESFET的影响，然后在缓冲层上生长一层n型的沟道层，再在沟道层上外延一层高掺杂的n型盖帽层用来形成源、漏金属电极...
- 潘宏菽商庆杰默江辉李静强霍玉柱杨霏陈昊
- 关键词：金属-半导体场效应晶体管碳化硅材料
- 毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法
- 本发明公开了一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块，所述在片测试模块包括单片电路钨铜载片、四个第一滤波电容以及四个第二滤波电容；所述...
- 默江辉杨中月李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- 一种微波器件测试用扭环
- 本发明公开了一种微波器件测试用扭环，涉及半导体器件测试技术领域。扭环外环壁的横截面为圆形，扭环内环壁的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入、输出的同轴接头端子外形尺寸相适配，所述扭环的材质为聚四氟乙烯材料。本发明采用...
- 李亮默江辉崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- 大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究被引量：6
- 2010年
- 采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四胞器件在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHzVds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%。
- 默江辉王丽刘博宁李亮王勇陈昊冯志红何庆国蔡树军
- 关键词：内匹配大功率
- 家庭深度隔离装置
- 本发明提供了一种家庭深度隔离装置，属于传染病隔离装置技术领域，包括罩体、负压风机和加热组件，罩体用于至少严密罩设使用者的口鼻部，且设有进气口和排气管；负压风机设在排气管上，用于将罩体内的空气引出、使罩体内形成空气流动；加...
- 李亮蔡雪晴默江辉刘林杰戴伟
- 文献传递
- 高性能SiC整流二极管研究被引量：2
- 2010年
- 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。
- 杨霏商庆杰李亚丽闫锐默江辉潘宏菽李佳刘波冯志红付兴昌何庆国蔡树军杨克武
- 关键词：击穿电压肖特基接触欧姆接触场板
- 一种多栅极指射频芯片、射频组件
- 本发明实施例提供一种多栅极指射频芯片、射频组件，该芯片包括N+1个漏极指、N个源极指和2N个栅极指，以及漏电极、栅电极和源电极。各漏极指、源极指和栅极指并排交叉设置。各漏极指连接无源区的漏电极。相邻的两个漏极指之间设置一...
- 默江辉王川宝高学邦张力江余若祺王鹏崔玉兴卜爱民
- 超宽带SiC MESFET器件的研制
- 2012年
- 采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。
- 崔玉兴默江辉李亮李佳付兴昌蔡树军杨克武
- 关键词：SICMESFET内匹配超宽带内匹配
