韩雷
- 作品数：15 被引量：27H指数：3
- 供职机构：天津大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学化学工程电子电信更多>>
- 具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法
- 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，用于在硅基片上制作二氧化钒纳米薄膜，包括下列步骤：1)硅基片表面清洗；2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜或氮化...
- 胡明梁继然陈涛韩雷刘志刚
- 文献传递
- 利用对靶磁控溅射在不同衬底上制备氧化钒薄膜的研究
- 氧化钒薄膜作为非制冷红外探测器的热敏材料，要求具有高的电阻温度系数(TCR)与合适的电阻值，以满足器件的应用。本文利用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃、SiO2/Si、氮化硅以及多孔硅4种不同对衬底上制备氧化钒薄膜，得到的薄...
- 韩雷
- 关键词：氧化钒红外探测器热敏材料电阻温度系数溅射功率
- 文献传递
- 退火条件对氧化钒薄膜微观结构的影响被引量：3
- 2006年
- 采用直流对向靶磁控溅射的方法在S iO2/S i衬底上制备了具有(001)择优取向的V2O5薄膜,利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和四探针测试方法对退火前后薄膜的表面形貌、物相组分和电阻温度系数进行了测量.结果表明:200℃衬底温度下溅射得到的薄膜为多晶V2O5,膜表面颗粒呈细长针状,经700℃、1 h退火后,薄膜中VO2相成分增多,颗粒变为长方形柱状;退火后薄膜的电阻温度系数达到-3.200//K,与薄膜的微结构和物相组分有很大关系;3 h退火后,得到高纯度的V2O5薄膜.
- 梁继然胡明吕宇强韩雷刘志刚
- 关键词：氧化钒薄膜微观结构直流磁控溅射
- 工程陶瓷磨削加工表面损伤图像检测被引量：7
- 2008年
- 通过对工程陶瓷磨削加工试验得到的表面图像进行观察和分析,对表面损伤情况进行分类。运用计算机数字技术对表面图像进行图像增强、平滑去噪、中值滤波、细化等一系列的处理后,对加工表面所出现的微裂纹和脆断凹坑进行识别和提取,最后采用表面破碎率这个量化的指标来评价图像表面的损伤程度及其与加工参数的关系。
- 程应科林滨张光秀韩雷石振鹏
- 关键词：图像处理
- 先进陶瓷材料表面/亚表面缺陷无损检测被引量：6
- 2007年
- 随着先进陶瓷材料的广泛使用,对其表面和亚表面缺陷检测更显重要。文章对就先进陶瓷材料无损检测技术和检测方法进行了论述,除了介绍几种常用的无损检测方法外,对新型的无损检测方法作以评价。并且就当今最为关心的陶瓷成像技术和预测裂纹问题作了阐述。
- 韩雷程应科林滨周慧娜
- 关键词：无损检测陶瓷激光
- 弱刚性超高强度铝合金零件精密切削试验研究
- 2007年
- 通过金刚石刀具精密车削弱刚性超高强度铝合金零件的切削试验,获得试验的切削力数据,建立了切削力的经验模型,同时利用有限元软件分析零件的加工变形。经检测,计算变形量与实际情况基本一致。结合有限元模型和切削力经验模型优化零件的加工参数,并对零件夹紧方式进行改进,提高了加工精度。
- 刘超周会哪韩雷林滨于思远
- 关键词：金刚石刀具切削力有限元
- 对靶磁控溅射制备VO_x薄膜及其退火研究被引量：2
- 2007年
- 利用对靶磁控溅射法在玻璃基片上制备VOx薄膜,采用正交实验方法研究了镀膜条件对VOx薄膜电阻温度系数(TCR)的影响,得到优化的镀膜工艺参数,主要包括Ar∶O2为48∶0.4、工作压力恒定为2 Pa、基底的温度为室温27℃、溅射功率保持在180W,在此基础上,进行不同温度条件的真空退火,得到薄膜TCR在-2.5%^-4.5%范围。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱法(XPS)分析了退火对提高薄膜TCR的作用,并找出VOx薄膜阻值与TCR的优化组合。同时,还观察到薄膜表面形貌的变化以及退火后薄膜中VO2,V2O3,V2O5的比例变化情况,并对其机理进行解释。
- 韩雷胡明吕宇强梁继然刘志刚
- 关键词：氧化钒磁控溅射退火电阻温度系数
- 用对靶磁控溅射附加低温热氧化处理方法制备相变氧化钒薄膜被引量：1
- 2009年
- 采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒(VO2-x)薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。采用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜中钒的价态与组分、薄膜结晶结构和表面微观形貌进行分析,利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量。结果表明:新制备的低价态氧化钒薄膜以V2O3和VO为主,经过300℃低温热氧化处理后,薄膜中出现单斜金红石结构的VO2相,薄膜具有金属-半导体相变特性;薄膜表面颗粒之间存在间隙,利于氧的渗入;在300～320℃进行热处理时,薄膜中的V2O3和VO向单斜结构的VO2转变,VO2含量增加,随着薄膜内VO2含量的增加,薄膜的金属-半导体相变幅度增大,超过2个数量级,相变性能变好,但是此热处理温度区间对已获得的VO2的结构没有影响。同时利用直流对靶磁控溅射方法还可以在低氧化温度下获得具有优异金属-半导体相变特性的氧化钒薄膜,制备工艺与微机械电子系统(MEMS)工艺相兼容。
- 梁继然胡明刘志刚韩雷
- 一种陶瓷加工表面损伤检测系统
- 本发明公开了一种陶瓷加工表面损伤检测系统，通过对计算机收集高效精密磨削过程中加工表面加工状况以及磨削加工表面形貌特征数据，进行分类处理，得到损伤的边缘轮廓特征，并且识别提取出表征加工表面损伤程度的宏观量化指标表面破碎率、...
- 林滨程应科韩雷石振鹏
- 文献传递
- 红外微测辐射热计用纳米氧化钒薄膜的制备和性能研究被引量：2
- 2006年
- 具有优异热敏性能的氧化钒薄膜材料是红外测辐射热计的首选热敏电阻材料,合适的薄膜电阻及高温度电阻系数的氧化钒薄膜的制备是实现高探测率红外测辐射热计的保证．利用新型对靶反应磁控溅射工艺制备了具有纳米颗粒的氧化钒薄膜材料,确定了最佳工艺参数．对其组成、结构和性能进行了分析,原子力显微镜AFM形貌分析表明薄膜具有均匀致密的表面,X射线光电子能谱分析XPS确定了其组成成分主要为V_2O_5、VO_2和少量的V_2O_3．在常用作微测辐射热计结构层材料的氮化硅基底上,该薄膜材料在室温附近具有合适的薄膜电阻(大约为每方14 kΩ)以及高的温度电阻系数(-3．17%/℃),有望适用于非致冷红外测辐射热计探测器．
- 吕宇强胡明吴淼韩雷梁继然刘志刚
- 关键词：测辐射热计
