陈斌
- 作品数：8 被引量：19H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 冷光源检测晶片键合质量的实现被引量：1
- 2005年
- 利用红外透射原理,即根据键合晶片中键合部分可以透光而未键合部分几乎不能透光的原理,同时采用冷光源的独特方法构建了键合质量测试平台以用于初步筛选符合下一步工艺探索的高质量键合晶片。
- 马如兵孙慧姝陈斌王琦黄辉黄永清任晓敏
- 关键词：晶片键合冷光源
- 低温晶片键合技术及在通信光电子器件中的应用被引量：9
- 2004年
- 简单介绍了晶片键合的基本原理,指出了实现低温晶片键合的必要性;通过对比低温晶片键合技术的实现方式及其在通信光电子器件中的应用,指明表面改性是实现低温晶片键合的最有效手段。
- 王琦黄辉王兴妍陈斌黄永清任晓敏
- 关键词：晶片键合光电子器件通信
- InP/GaAs键合热应力的有限元分析被引量：7
- 2004年
- 用有限元方法结合ANSYS工具,研究了InP/GaAs键合在退火后的热应力分布图像。重点计算并详细讨论了对解键合有重要作用的界面上的剥离力和剪切力。最后分析了影响热应力大小的有关因素。数值分析结果与相关文献实验结果一致。
- 陈斌周震黄永清任晓敏
- 关键词：键合有限元方法热应力
- Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析被引量：6
- 2005年
- 利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果。最后详细讨论了减小晶片键合热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理论参考。
- 陈斌王兴妍黄辉黄永清任晓敏
- 关键词：热应力剥离应力应变能晶片键合
- InP基微机械可调滤波器结构特性分析被引量：1
- 2004年
- 介绍了一种由静电驱动的InP基微机械可调滤波器,通过模拟此结构中DBR的反射谱和法布里 珀罗(F P)腔的透射谱分析了其滤波性能。用有限元方法分析了几种典型微机械结构的调制特性和顶镜的动态响应特性。比较了不同结构镜面的平整度行为。为InP基微机械F P腔的设计优化提供了有效参数依据。
- 陈斌周震黄永清任晓敏
- 关键词：微机械可调滤波器悬臂
- 晶片表面几何特性对键合的影响被引量：1
- 2005年
- 由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论.
- 陈斌黄永清任晓敏
- 关键词：晶片键合表面能吸附能
- 室温晶片键合界面的弹性理论分析
- 2005年
- 利用接触弹性力学的DMT(Derjaguin,Muller,Toporov)理论,考虑晶片表面起伏的随机性,导出了晶片键合的实际接触面积和有效键合能。并对结果进行了数值分析。讨论了影响室温键合强度大小的各种因素。
- 陈斌周震黄永清任晓敏
- 关键词：吸附能表面能
- 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合
- 2005年
- 提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.
- 黄辉王兴妍王琦陈斌黄永清任晓敏孙增辉钟源高俊华马骁宇陈弘达陈良惠
- 关键词：晶片键合GAASINP硫化物
