陈卫平
- 作品数：41 被引量：45H指数：4
- 供职机构：台州学院更多>>
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- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学电气工程更多>>
- 磁场沉积态FeCuCrVSiB薄膜的软磁特性和巨磁阻抗效应被引量：1
- 2009年
- 采用射频溅射法,在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析.结果表明,在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能,与无磁场沉积态相比,样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m,在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%.GMI效应与磁导率比的大小密切相关.无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应,而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应.在13 MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%.这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性.
- 陈卫平冯尚申邵先亦萧淑琴刘宜华
- 关键词：巨磁阻抗效应
- FeZrBCu射频溅射薄膜磁导率和巨磁阻抗效应的研究被引量：4
- 2007年
- 采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe0.88Zr0.07B0.05)97Cu3薄膜样品。X射线衍射结果表明,未经任何后期处理的沉积态薄膜为非晶态结构。在5 kHz-13 MHz频率范围内,着重研究了沉积态样品的有效磁导率和巨磁阻抗(GMI)效应的变化特性。研究结果表明,样品具有极好的软磁性能和GMI效应,其矫顽力仅为58 A/m,饱和磁化强度约为1.15×106A/m,在13 MHz的频率下最大巨磁阻抗比达到17%。并发现有效磁导率比随外磁场的变化,在各向异性场Hk≈0.4 kA/m处出现了峰值,GMI效应也在此磁场的位置处出现峰值。这表明GMI效应与磁场诱导的有效磁导率的变化紧密关联。
- 陈卫平萧淑琴冯尚申刘宜华
- 关键词：巨磁阻抗磁各向异性
- NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法
- 本发明是一种铁磁形状记忆合金及其制备方法，特别是一种NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法。NiMnGaSi合金粘结磁体的制备方法是选用原料Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末、Ga<Sub>2<...
- 蔡培阳冯尚申薛双喜周英陈卫平
- 文献传递
- 沉积态(Fe_(88)Zr_7B_5)_(0.97)Cu_(0.03)软磁合金薄膜的磁性和巨磁阻抗效应被引量：4
- 2004年
- 采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析.结果表明,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无GMI效应,而掺了适量Cu元素的(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03合金薄膜在沉积态下即具有显著的GMI效应.在13 MHz频率下,最大纵向磁阻抗比达17％,最大横向磁阻抗比为11％,这表明(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶合金薄膜在沉积态已具备优异的软磁性能和巨磁阻抗效应.同时讨论了该薄膜样品的巨磁阻抗效应随频率的变化特性.
- 陈卫平萧淑琴王文静刘宜华
- 关键词：软磁性能趋肤效应巨磁阻抗效应
- Fe_(15.16)Ag_(84.84)金属颗粒膜自旋极化相关的霍尔效应研究
- 2003年
- 采用磁控溅射法分别在玻璃和单晶硅衬底上同时制备了Fe1 5 1 6 Ag84 84 金属颗粒膜样品 ,并对样品的霍尔效应和霍尔系数RH 随外加磁场H的变化关系进行了实验研究 .观察到霍尔电压UH 与外加磁场H的关系曲线呈现出自旋极化相关的反常现象 ,并与其磁电阻效应具有对应关系 .基于自旋相关的散射理论对此作出了合理的解释 .
- 陈卫平冯尚申焦正宽
- 关键词：磁控溅射法巨磁电阻效应
- 淬态非晶FeSiB薄带的各向异性及其巨磁阻抗效应
- 2016年
- 采用单辊快淬法制备了Fe_(75)Si_9B_(13)非晶薄带。磁阻抗测试显示,淬态非晶FeSiB合金薄带具有显著的巨磁阻抗效应(GMI),在7 MHz频率下,纵横向最大阻抗比分别达到30%和29%。磁畴结构观察表明,薄带样品磁畴结构为具有一定的横向取向的180°条形畴,易轴与样品横向夹角约为75°。磁电阻变化与样品各向异性变化没有直接关系,相比磁阻抗,磁感抗更确切地反映了磁矩转动磁化行为和样品各向异性场的大小,易轴具有一定的横向取向以及薄带各向异性在厚度方向的空间分布是影响其GMI变化特性的原因。分析了磁电阻、磁感抗对样品巨磁阻抗效应的影响,发现,低频下,磁电阻对磁阻抗变化起主要作用,随着趋肤效应增强,样品磁感抗逐渐成为影响磁阻抗变化行为的主要方面。
- 钟彬荃谢佳文朱雨晴许佳丽邵先亦陈卫平
- 关键词：巨磁阻抗效应各向异性
- La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3中Bi的掺杂效应
- 2004年
- 将Bi2O3掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果证实有过量的Bi析出。随着Bi掺杂量的增加,LSMO/(Bi2O3)x/2材料电阻率发生明显变化,在x=(0-0.10)摩尔比的掺杂范围内,电阻率先上升后突然下降。当x=0.1时,电阻率比未掺杂样品下降了一个数量级。Bi掺杂对低温和室温磁电阻有着完全不同的影响。低温下,随掺杂量增加,磁电阻下降;室温下Bi的微量掺杂可以使磁电阻增大,掺入x=0.03Bi使室温磁电阻由-4.4%提高到-5.6%。
- 黄宝歆刘宜华原晓波王成建陈卫平张汝贞梅良模
- 关键词：LA0.67SR0.33MNO3磁电阻效应铋LSMO
- 电流退火对FEZRBCU软磁合金膜巨磁阻抗效应的影响被引量：2
- 2005年
- 采用射频溅射法在单晶硅基片上沉积了(FE88ZR7B5)0.97CU0.03软磁薄膜样品,对制备态样品进行了直流电流退火处理。结果表明,最佳退火电流为800 MA,在13 MHZ频率下,最大纵向巨磁阻抗比从制备态的8%上升到最佳退火态的17%,明显提高了巨磁阻抗效应和磁场响应灵敏度。详细分析和讨论了样品的巨磁阻抗效应随退火电流变化的特性和机理。
- 邵先亦陈卫平
- 关键词：巨磁阻抗效应各向异性场
- 流延成型法制备CBS系玻璃-陶瓷复合材料
- 2014年
- 以CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉体、Al2O3陶瓷粉体和Li2CO3助熔剂为原料,通过流延成型法制备了CBS/Al2O3玻璃-陶瓷复合材料流延片。结果表明,Li2CO3通过与CBS、Al2O3、B2O3反应生成低熔点的Li4B2O5和LiAlO2液相,降低了CBS/Al2O3复合材料的烧结温度,在850℃烧结时的体积密度为2.63g/cm3;具有良好的介电性能:介电常数为7.24,介电损耗为1.57×10-3;流延片通过与高热导率的Ag共烧,获得优异的热传导性能,当通孔占有率及间距为3.88%和1.00mm时,热导率为15.16 W/(m·K),已经达到AlN/玻璃基板的热传导性能。
- 方一航王焕平张梦贤张平章黎李志刚陈卫平
- 关键词：流延成型CAO-B2O3-SIO2烧结性能热传导性能
- 磁性双纳米结构阵列材料及其制备方法
- 本发明公开了一种磁性双纳米结构阵列材料，包括衬底、双纳米结构阵列，双纳米结构阵列由两个单结构阵列所组成，双纳米结构设置于衬底上；两个单结构阵列分别为氧化铁、钴两种磁性材料；两个单结构阵列分别为纳米环或金字塔状等纳米结构阵...
- 李志刚陈卫平刘彦平邵先亦
- 文献传递
