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陈卫军

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇大信号
  • 2篇直流特性
  • 2篇散射参数
  • 2篇绝缘体上硅
  • 1篇电路
  • 1篇电路模型
  • 1篇射频
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率放大...
  • 1篇线性电路
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇非线性电路
  • 1篇负载牵引法
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI_LD...
  • 1篇LDMOS

机构

  • 3篇杭州电子科技...

作者

  • 3篇张海鹏
  • 3篇陈卫军
  • 3篇吕韶义
  • 2篇马里剑
  • 1篇苏步春
  • 1篇张帆
  • 1篇张亮
  • 1篇余厉阳

传媒

  • 1篇电讯技术
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇第21届电路...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真
2009年
简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物-半导体(SOI LDMOS)电路模型。根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真。该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计。结果表明放大器的增益达到15dB,输出功率达到25dBm,功率附加效率大于40%。
陈卫军马里剑张海鹏余厉阳吕韶义
关键词：射频功率放大器SOILDMOS负载牵引法
绝缘体上硅射频LDMOS的大信号模型研究
2009年
射频功率器件对整个射频放大电路的性能起到决定性的影响。而这类器件依然没有精确、统一的电路模型。因此,基于分支电路模型建立了一种新型SOI LDMOS的大信号电路模型。该模型是一个非线性电路模型,包括了对直流特性的模拟、S参数的模拟,以及其他有关参数的提取。仿真结果表明该模型能比较精确的模拟RF SOI LDMOS器件的直流特性以及频率特性,所以可以利用这个电路模型辅助射频功率放大器设计,为前端设计的电路仿真提供模型的支持。
陈卫军张海鹏吕韶义
关键词：直流特性散射参数
绝缘体上硅射频LDMOS的大信号模型研究
射频功率器件对整个射频放大电路的性能起到决定性的影响.而这类器件依然没有精确、统一的电路模型.因此,基于分支电路模型建立了一种新型SOI LDMOS的大信号电路模型.该模型是一个非线性电路模型,包括了对直流特性的模拟、S...
陈卫军张海鹏吕韶义马里剑张帆苏步春张亮
关键词：直流特性散射参数非线性电路电路模型
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