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陆治平

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇热控
  • 4篇坩埚
  • 4篇晶体
  • 4篇光学
  • 4篇光学均匀性
  • 2篇熔料
  • 2篇晶体生长
  • 2篇补给
  • 2篇称量系统

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇王绍华
  • 4篇郑燕青
  • 4篇崔素贤
  • 4篇施尔畏
  • 4篇陆治平

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置中，生长坩埚10与原料补给坩埚8相连通，补给坩埚可套在生长坩埚的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构3。提拉旋转系统包...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
文献传递
一种熔料补充生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，排液系统(3、12、9)和多坩埚系统(10、8)；其中排液系统与称量系统...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
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一种熔料补充生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，排液系统(3、12、9)和多坩埚系统(10、8)；其中排液系统与称量系统...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
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坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置中，生长坩埚10与原料补给坩埚8相连通，补给坩埚可套在生长坩埚的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构3。提拉旋转系统包...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
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