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闫未霞

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇化学机械抛光
  • 3篇机械抛光
  • 2篇止点
  • 2篇抛光
  • 2篇抛光液
  • 2篇相变材料
  • 2篇纳米孔
  • 2篇反射光
  • 2篇材料结构
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化剂
  • 1篇水性
  • 1篇水性介质
  • 1篇纳米SIO
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇GST
  • 1篇LED

机构

  • 4篇中国科学院
  • 2篇上海新安纳电...

作者

  • 4篇闫未霞
  • 3篇宋志棠
  • 3篇刘卫丽
  • 2篇吴关平
  • 2篇俞磊
  • 2篇王良咏
  • 2篇刘波
  • 2篇何敖东
  • 1篇侯蕾
  • 1篇张泽芳

传媒

  • 1篇润滑与密封

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
纳米SiO_2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用被引量：5
2013年
制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果表明,制备的纳米氧化硅抛光液对LED蓝宝石衬底具有优异的抛光性能,抛光后的表面无划伤、无腐蚀坑,且粗糙度小于0.2 nm。
张泽芳侯蕾闫未霞刘卫丽宋志棠
关键词：蓝宝石氧化硅抛光LED抛光液
确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统
本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，...
何敖东宋志棠刘波刘卫丽吴关平王良咏李俊焘俞磊闫未霞
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确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统
本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，...
何敖东宋志棠刘波刘卫丽吴关平王良咏李俊焘俞磊闫未霞
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一种包含双氧化剂的GST化学机械抛光液及其制备方法和用途
本发明涉及化学机械抛光领域，特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的双氧化剂化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种双氧化剂的GST化学机械抛光液，其原料按重量份计，包括如下组分：抛光颗粒0.2-30份；氧化剂...
闫未霞刘卫丽宋志棠
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