郭维廉
- 作品数：253 被引量：272H指数：8
- 供职机构：天津大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- NDRHBT及其构成的单-双稳转换逻辑单元被引量：1
- 2007年
- 设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)。经过测试,证实其具有与GRTD、RTD/HEMT构成的MOBILE相类似的逻辑功能。
- 郭维廉关薇牛萍娟张世林齐海涛陈乃金王伟
- 关键词：异质结晶体管负阻器件
- 肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
- 2010年
- 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。
- 宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来
- 关键词：肖特基接触
- 一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法，有源环形谐振腔为：脊型波导或条形波导构成的任意闭合环路，有源环形谐振腔上制作有P型电极和N型电极，有源环形谐振腔内的激射光通过垂直耦合器耦合进条形直波导，条形直...
- 谢生郭婧毛陆虹张世林郭维廉
- 文献传递
- 大气湿度对AFM针尖氧化加工金属Ti膜的影响被引量：3
- 2004年
- AFM针尖诱导氧化加工的Ti纳米氧化线,是基于Ti膜-半导体纳米器件的基础,由大气湿度决定的Ti膜表面水吸附层的厚度,对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。通过大量实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响,结果表明进行氧化加工Ti膜的较好湿度范围为30%～50%。
- 匡登峰刘庆纲郭维廉张世林胡小唐
- 一种具有新型材料结构的半球形透镜矩阵太赫兹波源
- 一种具有新型材料结构的半球形透镜矩阵太赫兹波源，在半球形透镜，半球形透镜的下表面设置有由多个RTO发射单元构成的RTO矩阵，RTO矩阵位于半球形透镜下表面的圆心处。RTO矩阵是由2×2～32×32个RTO发射单元构成的矩...
- 毛陆虹赵帆郭维廉谢生张世林贺鹏鹏
- 文献传递
- 光电双基区晶体管中的光控电流开关效应被引量：6
- 2000年
- 光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控“S”型负阻特性及其光控电流开关效应。测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线。并利用电注入双基区晶体管的“S”型负阻产生机理解释了测得的结果。
- 郭维廉张培宁郑云光李树荣张世林
- 关键词：光电负阻器件光控电流开关光电晶体管
- InP／GaAs异质键合界面的XPS研究
- 2009年
- 用直接键合技术在480℃实现了InP/GaAs的异质键合,用X射线光电子谱研究了样品的界面化学态。研究分析表明,InP/GaAs样品在480℃的键合过程中发生相互扩散(除P外),键合界面处形成了由InP、GaAsI、nAs和GaP构成的中间过渡层,过渡层厚度约为6nm。
- 谢生陈松岩毛陆虹郭维廉
- 关键词：晶片键合X射线光电子谱磷化铟
- 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT
- 2007年
- 负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。
- 齐海涛郭维廉张世林
- 关键词：异质结双极晶体管负阻
- GaAs/AlGaAs环形激光器的量子阱结构优化被引量：1
- 2015年
- 为了研究量子阱结构对半导体环形激光器阈值电流的影响,从F-P腔激光器的振荡条件出发,分析了半导体环形激光器的阈值电流密度与量子阱结构参量的函数关系,并推导出最佳量子阱数的表达式。利用器件仿真软件ATLAS建立环形激光器的等效模型,仿真、分析了不同工作温度下,量子阱数、阱厚及势垒厚度对阈值电流的影响。结果表明,阈值电流随量子阱数和阱厚的增加先减小后增大,存在一组最佳值;在确定合适的量子阱数和阱厚后,相对较窄的势垒厚度有助于进一步降低阈值电流;采用GaAs/AlGaAs材料体系和器件结构,其最佳量子阱结构参量为M=3,dw=20nm及db=10nm。
- 郭婧谢生毛陆虹郭维廉
- 关键词：激光器半导体环形激光器多量子阱阈值电流
- 发射区In含量渐变集电区高In过渡层的RTD器件
- 一种发射区In含量渐变集电区高In过渡层的RTD器件，有由下至上依次形成的衬底、缓冲层和发射区电极接触层，发射区电极接触层上分别形成有发射区和发射区金属电极，发射区上由下至上依次形成有渐变In含量结构、发射区隔离层及渐变...
- 毛陆虹赵帆郭维廉谢生张世林
- 文献传递
