郭斌
- 作品数：9 被引量：1H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 相关领域：一般工业技术经济管理理学文化科学更多>>
- 一种具有界面激子的窄带光电探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种具有界面激子的窄带光电探测器及其制作方法，本发明提出的具有窄带光谱响应的光电探测器基于半导体激子源层材料中的激子效应，光电探测器中的半导体激子源层与两个独立的电极中至少有一个存在界面势垒，从而形成界面激子...
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- 电场调控氮化物半导体改性技术及双向通信单芯片白光LED研究
- 可见光通信技术(Li-fi)作为新一代无线通信技术,相对于传统无线电通信技术具有无可比拟的优势,例如频谱资源丰富,无电磁辐射等,通常使用LED作为光通信器件,但是目前用于Li-fi的LED器件不具备发光与探测双功能,导致...
- 郭斌
- 关键词：氮化物半导体除氢H-BN
- 同步上下行光照明通信单芯片器件及制造方法和应用
- 本发明公开了一种同步上下行光照明通信单芯片器件及制造方法，芯片的结构包括衬底、调制掺杂半导体复合层、超薄介质层、透明导电层、第一电极和第二电极；其中调制掺杂半导体复合层包括掺杂GaN层以及设于掺杂GaN层之上的GaN/I...
- 蔡端俊郭斌刘国振蔡叶杭陈小红
- 文献传递
- 过渡金属氧化物纳米材料的制备及应用
- 本论文提出了一种新的方法制备过渡金属氧化物纳米材料(包括氧化锌、氧化铜、氧化铁等),该方法是在管式炉的基础上改进的等离子体增强热氧化法。然后使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、透射电子...
- 郭斌
- 关键词：太阳能电池锂离子电池
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- 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法
- 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放...
- 程其进郭斌渠亚洲林冠华
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- LG电子在华经营战略转型分析
- 中国市场是全球最具发展潜力,同时也是竞争最激烈的市场。吸引了大批跨国公司投资中国,成就了以LG电子为代表的跨国企业。自1993年进入中国以来,LG电子在中国的事业规模全面扩张,LG电子根据不同的发展阶段,实行了不同的战略...
- 郭斌
- 关键词：LG电子战略管理
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- 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法
- 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放...
- 程其进郭斌渠亚洲林冠华
- 同步上下行光照明通信单芯片器件及制造方法和应用
- 本发明公开了一种同步上下行光照明通信单芯片器件及制造方法，芯片的结构包括衬底、调制掺杂半导体复合层、超薄介质层、透明导电层、第一电极和第二电极；其中调制掺杂半导体复合层包括掺杂GaN层以及设于掺杂GaN层之上的GaN/I...
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- 一种电场和/或磁场调控合成二维材料的装置和方法
- 本发明公开了一种电场和/或磁场合成二维材料的装置和方法，于二维材料合成的反应腔内设置磁场产生装置和/或电场产生装置以及高温高真空保护装置，使气态分子、固体粒子或等离子体在磁场和/或电场调控下沉积于衬底上形成二维材料，调控...
- 蔡端俊刘国振郭斌陈小红
