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vfBGA内部芯片断裂问题被引量：2: 2002年; 利用 ANSYS软件以有限元分析的方法研究了 vf BGA器件内部芯片断裂问题 .通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小 .根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断裂的原因 .研究发现。; 庞恩文林晶郁芳宗祥福; 关键词：有限元分析 ANSYS 集成电路塑料封装

NiO在USY分子筛、γ-Al_2O_3及其混合载体上的NO吸附行为和分布规律被引量：2: 1999年; 运用红外技术和高斯函数对红外谱图进行分峰拟合，研究了对ＮｉＯ在ＵＳＹ分子筛、γ－Ａｌ２Ｏ３和混合载体上的对ＮＯ吸附规律，并推断出不同ＮｉＯ含量时，Ｎｉ２＋在这些载体上的分布．结果表明：位于γ－Ａｌ２Ｏ３表面、ＵＳＹ分子筛ＳⅡ、ＳⅠ位和ＳⅡ位的Ｎｉ２＋离子吸附ＮＯ时，它们的吸附频率分别为１８５５～１８７５、１９００和１９０５ｃｍ－１．ＮｉＯ在γ－Ａｌ２Ｏ３的体相和表面间存在分布平衡，约有７５％ＮｉＯ存在于γ－Ａｌ２Ｏ３体相中．在ＵＳＹ分子筛上，Ｎｉ２＋分布于分子筛ＳⅠ位的趋势远大于ＳⅡ和ＳⅡ、ＳⅠ位．增加ＮｉＯ含量将增强这种趋势．在混合载体上，Ｎｉ２＋分布于Ａｌ２Ｏ３表面的能力大于分布于分子筛的ＳⅡ和ＳⅡ、ＳⅠ位，增加ＮｉＯ量，分布于γ－Ａｌ２Ｏ３表面及ＵＳＹ分子筛ＳⅡ位的Ｎｉ２＋量显著增加，而分布于分子筛ＳⅡ。; 牛国兴曹志松曹志松李全芝郁芳; 关键词：USY 分子筛一氧化氮镍酸性

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郁芳