谭周建
- 作品数：14 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中南大学材料科学与工程学院粉末冶金国家重点实验室更多>>
- 发文基金：创新研究群体科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术冶金工程化学工程更多>>
- 碳化硅晶须对C/C复合材料表面SiC涂层的影响被引量：1
- 2012年
- 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法(CVD)在C/C复合材料表面原位生长碳化硅晶须(SiCw)及制备SiC涂层,研究SiCw对SiC涂层微观形貌,织构及力学性能的影响。结果表明:SiCw不仅可促成SiC等轴颗粒的细化、生长完善,裂纹宽度减小、偏转明显,而且可使涂层的织构发生改变;同时,大量的空洞在SiCw处形成,使得内层SiC涂层硬度低于外层,从而导致整个SiC涂层的硬度和弹性模量降低。
- 谭周建李军张翔李丙菊褚胜林廖寄乔
- 关键词：碳化硅晶须C/C复合材料SIC涂层力学性能
- SiC晶须的原位生长及其在C/C复合材料抗氧化涂层中的应用被引量：4
- 2010年
- 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须(SiCw),制备CNT-SiCw抗氧化涂层,并在1 100℃、空气中对该氧化涂层进行10 h抗氧化实验,研究SiCw的制备工艺以及SiCw在C/C复合材料抗氧化涂层中的作用。结果表明:制备碳化硅晶须的最佳工艺为:温度1 100℃、常压、载气和稀释气体流量均为100 mL/min。在此工艺下,沉积时间为15 min时,能制备出高长径比、平均直径约100 nm的碳化硅晶须。有CNT-SiCw涂层C/C复合材料试样在空气中氧化后的质量损失率仅0.7%,没有涂层的试样的质量损失率约为15%。
- 李军张翔廖寄乔谭周建
- 关键词：碳化硅晶须CVD
- 一种3D打印制备碳/碳复合材料方法
- 一种3D打印的碳/碳复合材料制备方法，将所述的碳纤维经刻蚀溶液刻蚀处理后，与用于溶解热固性树脂的溶剂混合得到固液混合物；将所述的热固性树脂与固化剂充分混合得到固体混合物；将所述的固液混合物、固体混合物分别加入反应容器中，...
- 廖寄乔易旭李军谭周建李丙菊
- 文献传递
- C/C复合材料表面化学气相沉积SiCw/SiC涂层的研究
- SiC优异的高温性能使其成为碳/碳(C/C)复合材料高温抗氧化涂层的首选。然而，SiC和C/C复合材料基体之间热膨胀系数不匹配，导致SiC涂层的防护能力大打折扣。本文对在C/C复合材料表面引入SiCw涂层进行了系统地研究...
- 谭周建
- 关键词：复合材料
- 文献传递
- 中密度C/C复合材料表面制备SiCnw/SiC涂层被引量：1
- 2015年
- 在中密度C/C复合材料基体上采用催化化学气相沉积方法生长碳化硅纳米线(SiCnw)及制备碳化硅纳米线/碳化硅(SiCnw/SiC)涂层,研究中密度C/C复合材料基体上加载催化剂后涂层沉积及其抗氧化性能,结果表明:中密度基体上催化制备SiCnw涂层,可改善沉积效率,同时可抑制裂纹扩展,明显改善SiC涂层在1200℃的氧化防护能力。另外,在1500℃的空气中氧化10h后,SiCnw/SiC涂层氧化质量损失率仅为1.34%,明显低于质量损失率为8.67%的单层SiC涂层。
- 凌继容谭周建李军褚胜林李丙菊刘学文廖寄乔
- 关键词：C/C复合材料
- 一种3D打印制备碳/碳复合材料方法
- 一种3D打印的碳/碳复合材料制备方法，将所述的碳纤维经刻蚀溶液刻蚀处理后，与用于溶解热固性树脂的溶剂混合得到固液混合物；将所述的热固性树脂与固化剂充分混合得到固体混合物；将所述的固液混合物、固体混合物分别加入反应容器中，...
- 廖寄乔易旭李军谭周建李丙菊
- 文献传递
- 原位生长碳纳米管对化学气相沉积SiC涂层的影响被引量：3
- 2011年
- 以碳/碳复合材料为基体,MTS为先驱体原料,采用化学气相沉积法在复合材料表面制备CNT-SiC/SiC复合涂层;研究原位生长的碳纳米管(CNTs)对SiC沉积速度和微观形貌的影响。结果表明:CNTs加快SiC的沉积,涂层的平均质量增加速率提高5%,提高沉积的均匀性,且晶粒更细小;经1 100℃恒温氧化10 h后,单一SiC涂层、CNT-SiC/SiC涂层的质量损失率分别为41.11%和34.32%;经(1 100℃,3 min)(室温,3 min)热循环15次后,单一SiC涂层和CNT-SiC/SiC涂层的质量损失率分别为33.17%和30.25%,部分区域涂层脱落及涂层表面形成的气孔是涂层试样质量损失的主要原因。
- 李军谭周建张翔廖寄乔
- 关键词：碳纳米管化学气相沉积
- C/C复合材料表面原位生长SiC_w的工艺被引量：2
- 2012年
- 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响。结果表明:有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw,无催化剂制备的SiC主要以短棒状或球状SiC为主;随着稀释气体流量或者沉积温度的增加,SiCw的产率是先增加、后减少,在1 100℃、载气和稀释气体流量均为100 mL/min时,制备的碳化硅晶须的产率最高,晶须质量最好。
- 李军谭周建廖寄乔张翔李丙菊
- 关键词：碳化硅晶须C/C复合材料沉积温度
- 一种用于3D打印制备碳/碳复合材料的粉末材料的制备
- 一种用于3D打印制备碳/碳复合材料的粉末材料的制备方法，取热固性树脂、碳纤维、固化剂和流动助剂备用；当碳/碳复合材料生坯的质量份数为100份时，碳纤维质量份数为30-70份，所述碳纤维的直径为3μm～15μm，长度为20...
- 廖寄乔易旭李军谭周建李丙菊张思雨
- 文献传递
- 沉积温度和碳纳米管对CVD SiC涂层微观形貌的影响被引量：2
- 2010年
- 以三氯甲基硅烷（CH3SiCl3）为前驱体,采用化学气相沉积法（Chemical vapor deposition,CVD）,在原位生长有碳纳米管（Carbon nanotubes,CNTs）的C/C复合材料表面制备SiC涂层。用扫描电镜（SEM）和X射线能谱仪（EDS）观察和分析涂层微观形貌及成份。研究沉积温度（1 000~1 150℃）对SiC涂层的表面、截面以及SiC颗粒的微观形貌的影响。结果表明：在1 000℃下反应时,得到晶须状SiC;沉积温度为1 050℃时涂层平整、致密;沉积温度提高到1 100℃时,涂层粗糙,致密度下降;1 150℃下形成类似岛状组织,SiC颗粒团聚长大,涂层粗糙,并有很多裂纹和孔洞,致密度低。对涂层成份和断口形貌研究表明,基体和涂层之间有1个过渡区,SiC涂层和基体之间结合良好。
- 张翔李军廖寄乔谭周建
- 关键词：碳纳米管CVD
