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范宝殿

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇电池
  • 5篇激光
  • 5篇掺杂
  • 4篇荧光粉
  • 4篇晶体硅
  • 4篇硅电池
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶硅
  • 3篇酸盐
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇体硅
  • 3篇硼酸
  • 3篇硼酸盐
  • 3篇激光辐照
  • 3篇光辐照
  • 3篇硅片
  • 3篇硅片表面
  • 2篇电池效率
  • 2篇三基色荧光粉

机构

  • 14篇厦门大学

作者

  • 14篇范宝殿
  • 13篇陈朝
  • 9篇蔡丽晗
  • 9篇陈蓉
  • 7篇郑将辉
  • 4篇应莉莉
  • 2篇陈文志
  • 2篇王荣
  • 2篇程浩然
  • 2篇任先培
  • 1篇陈蓉
  • 1篇庞爱锁

传媒

  • 1篇激光技术
  • 1篇第八届中国太...

年份

  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法
一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P<Sup>+</Sup>层、P层、N<Sup>+</...
陈朝蔡丽晗王荣范宝殿程浩然任先培郑将辉
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连续激光辐照实现单晶硅过饱和掺钛的研究
在能源日益紧缺环境污染日益加剧的形势下，光伏发电以其分布广泛、清洁无污染等优点成为21世纪解决能源危机和环境问题的重要手段。晶体硅太阳电池因具有高的光电转换效率、低污染、性能稳定、技术成熟等优点，是市场的主流产品，在可预...
范宝殿
一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法
一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法，涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×10<Sup>19</Sup>cm<Sup>-3</Sup>，掺杂...
陈朝陈蓉范宝殿
文献传递
Nd∶YAG连续激光诱导下硅中钛过饱和掺杂研究
2016年
为了在硅中掺入过饱和的过渡金属杂质,采用自行设计的线形大功率Nd∶YAG激光辐照表面溅射钛的硅片,对辐照后样品进行了俄歇电子能谱测试,利用2维热力学模型,对连续激光扫描的过程进行了热力学模拟。结果表明,硅中的钛掺杂浓度远高于钛在硅中的固溶度,钛的最高浓度在表面下方一定距离处;硅片中的最高温度并不在硅的表面,温度分布导致了钛的分布不在表面;模拟结果与实验结果吻合得较好。线形连续激光能够通过对材料表面扫描辐照的方式进行加工,实现过饱和掺杂。
范宝殿陈蓉庞爱锁陈朝
关键词：硅材料过饱和
两类单晶硅太阳电池温度系数的探索-本文为纪念崔容强教授而作
中国宁夏发电集团、上海普罗新能源有限公司和阿特斯光伏有限公司的光伏电站供电记录表明，用冶金法制备的低成本单晶硅太阳电池的温度系数比常规的用化学法制备的同类单晶硅太阳电池低近一半(其温度系数分别约为：-0.028％和-0....
陈朝任先培范宝殿蔡丽晗
一种硼酸盐荧光粉基质及荧光粉的制备方法
本发明公开了一种近紫外激发稀土硼酸盐荧光粉基质及荧光粉制备方法，该硼酸盐荧光粉的通式为NaBaBO<Sub>3</Sub>：xRe，yM(亦即BaNaBO<Sub>3</Sub>：xRe，yM)。其中，NaBaBO<Su...
陈朝郑将辉蔡丽晗应莉莉陈文志陈蓉范宝殿
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一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料及其制备方法
本发明公开了一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料，包括有依次层叠设置的衬底和红外吸收层；所述衬底是p型单晶硅，所述红外吸收层是镍掺杂的n型硅中间带(Si：Ni)材料，其中镍的掺杂浓度是6×10<Sup>19</Sup>...
陈朝陈蓉范宝殿郑将辉蔡丽晗
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一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法
一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×10<Sup>19</Sup...
陈朝范宝殿蔡丽晗陈蓉
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一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法
一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P<Sup>+</Sup>层、P层、N<Sup>+</...
陈朝蔡丽晗王荣范宝殿程浩然任先培郑将辉
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一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法
一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法，涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×10<Sup>19</Sup>cm<Sup>-3</Sup>，掺杂...
陈朝陈蓉范宝殿
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