苏艳梅
- 作品数：28 被引量：36H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 紫外-红外双波段探测器及其制作方法
- 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一...
- 颜廷静种明苏艳梅林孟喆王晓勇
- 双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制被引量：3
- 2007年
- 采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺,二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77 K时,对量子阱红外探测器测试,得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ=(1.61～1.90)×1010 cmHz1/2W-1和(1.54～2.67)×1010 cmHz1/2W-1。中、长波段峰值波长分别为(2.7～3.8)μm和8.3μm。
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- 关键词：红外探测器
- 128×128三电极中/长波双色量子阱红外探测器被引量：3
- 2012年
- 量子阱红外探测器(QWIP)阵列具有重要的实用意义。国外的研究已经相当成熟,但是在国内,量子阱红外探测器阵列的研究水平还较低,尤其是对于双色量子阱红外探测器阵列的研究更是刚刚起步。文中使用GaAs/AlGaAs、InGaAs/AlGaAs应变量子阱和三端电极引出的器件结构研制出128×128中/长波双色量子阱红外探测器阵列。该结构实现了同像元同时引出双色信号。器件像元中心距为40μm,像元有效面积为36μm×36μm。探测器芯片与读出电路互连并完成微杜瓦封装。在65 K条件下测试,峰值波长为:中波5.37μm,长波8.63μm,器件的平均峰值探测率为:中波4.75×109cmHz1/2W-1,长波3.27×109cmHz1/2W-1。并进行了双波段的红外演示成像。
- 苏艳梅种明曾一平胡小燕于艳孙捷张晓燕
- 关键词：红外探测器
- 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
- 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射...
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- 文献传递
- 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
- 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射...
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- 文献传递
- InGaAs/GaAs量子点红外探测器被引量：1
- 2008年
- 与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。
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- 关键词：量子点红外探测器垂直入射分子束外延光电流
- 背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法
- 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法，该方法由以下步骤实现：用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上；用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上；用焊锡将...
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- 双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法
- 一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；制作正面光栅，并制作上电极；刻蚀，形成隔离槽和上台面；刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，形成中台面，刻蚀...
- 苏艳梅种明
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- 一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法
- 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻...
- 杨敏种明赵德刚王晓勇苏艳梅孙捷孙秀艳
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- 解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法
- 一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法，包括如下步骤：在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料；在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀，形成多个像元之间的隔离槽，刻蚀深度至衬底内；在刻蚀隔离槽后的多量子...
- 孙捷种明苏艳梅
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